IV1B12013HA1L – 1200 V 13 MOhm SiC-Modul Solar Deutschland

Herkunftsort:	Zhejiang
Markenname:	Inventchip-Technologie
Modellnummer:	IV1B12013HA1L
Zertifizierung:	AEC-Q101

Eigenschaften

• Hohe Sperrspannung bei geringem Einschaltwiderstand

• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringer Kapazität

• Hohe Betriebstemperatur der Sperrschicht

• Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Anwendungen

• Solaranwendungen

• USV-System

• Motortreiber

• Hochspannungs-DC/DC-Wandler

Paket

Markierungsdiagramm

absolut beste Bewertungen(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VDS	Drain-Source-Spannung	1200	V
VGSmax (DC)	Maximale Gleichspannung	-5 bis 22	V	Statisch (DC)
VGSmax (Spitze)	Maximale Spitzenspannung	-10 bis 25	V	<1 % Arbeitszyklus und Impulsbreite <200 ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	20 0.5 ±	V
VGSoff	Empfohlene Abschaltspannung	-3.5 bis -2	V
ID	Entnahmestrom (kontinuierlich)	96	A	VGS = 20 V, Th = 50 °C, Tvj ≤ 150 °C
		102	A	VGS = 20 V, Th = 50 °C, Tvj ≤ 175 °C
IDM	Drainstrom (gepulst)	204	A	Impulsbreite durch SOA begrenzt	Fig.26
PTO	Gesamtverlustleistung	210	W	Tvj ≤ 150 ℃	Fig.24
Tstg	Lagertemperaturbereich	-40 bis 150	° C
TJ	Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur unter Schaltbedingungen	-40 bis 150	° C	Produktion
		-55 bis 175	° C	Zeitweilig mit verkürzter Lebensdauer

Thermische Daten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Note
Rθ(JH)	Wärmewiderstand von der Verbindung zum Kühlkörper	0.596	° C / W.	Fig.25

Elektrische Eigenschaften(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Null-Gate-Spannungs-Drainstrom		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate-Leckstrom			± 200	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH-KARTE	Gate-Schwellenspannung	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS, ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS, ID =24mA bei TC =150°C
RON	Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand		12.5	16.3	mΩ	VGS = 20 V, ID = 80 A bei TJ = 25 °C	Abb.4-7
			18		mΩ	VGS = 20 V, ID = 80 A bei TJ = 150 °C
Ciss	Eingangskapazität		11		nF	VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 100 kHz, VAC = 25 mV	Fig.16
Koss	Ausgangskapazität		507		pF
Krss	Rückübertragungskapazität		31		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		203		μJ		Fig.17
Qg	Gesamte Gate-Gebühr		480		nC	VDS = 800 V, ID = 80 A, VGS = -5 bis 20 V	Fig.18
Qgs	Gate-Source-Ladung		100		nC
Qgd	Gate-Drain-Ladung		192		nC
Rg	Gate-Eingangswiderstand		1.0		Ω	f=100kHZ
EON	Schaltenergie einschalten		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Abb.19-22
EAUS	Schaltenergie abschalten		182		μJ
td(ein)	Einschaltverzögerungszeit		30		ns
tr	Anstiegszeit		5.9
td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		37
tf	Abfallzeit		21
LsCE	Streuinduktivität		7.6		nH

Eigenschaften der Sperrdiode(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
		Min.	Typ.	Max.
VSD	Diodendurchlassspannung		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Abb.10-12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Reverse-Recovery-Zeit		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Reverse-Recovery-Gebühr		1095		nC
IRRM	Spitzenrückstrom		114		A

Eigenschaften des NTC-Thermistors

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
		Min.	Typ.	Max.
RNTC	Bewerteter Widerstand		5		kOhm	TNTC =25℃	Fig.27
ΔR/R	Widerstandstoleranz bei 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta-Wert		3380		K	± 1%
Pmax	Energieverschwendung		5		mW

Typische Leistung (Kurven)

         

Verpackungsabmessungen (mm)