Einer dieser winzigen, aber kritischen Teile ist ein Transistor-FET, der in vielen uns heute zur Verfügung stehenden Geräten zur Steuerung des Stromflusses verwendet wird. Sie bestehen aus Halbleitern mit besonderen Eigenschaften. Am häufigsten sind Silizium- oder Germaniumhalbleiter anzutreffen. Sie können kontrollierte Leiter sein, was für Technologie und Elektronik absolut entscheidend ist.
Der Transistor-FET besteht aus drei Hauptteilen: Quelle, Gate und Drain. Die Quelle ist der Punkt, an dem der Strom in einen Transistor fließt. Das Gate ist ein Steuerschalter, der die Menge an Strom bestimmt, die durchfließen kann. Der Drain ist der Punkt, an dem der Strom austritt, nachdem er bereits durch den Transistor geleitet wurde. Das Gate ist der Schlüsselteil davon, es moduliert die Strommenge, die zwischen Quelle und Drain fließt, damit Ihr Transistor effektiv funktionieren kann.
Transistor-FETs sind in vielen Geräten vorhanden, die wir täglich verwenden. Sie sind sehr praktisch, um Signale zu verstärken, was zu einer besseren Leistung der Geräte führt. Sie leiten auch Schaltkreise beim Ein- und Ausschalten, was einige Geräte benötigen. Viele elektronische Geräte würden nicht gut funktionieren oder könnten groß und schwer sein, wenn es keine FETs in Transistoren gäbe.
Transistor-FETs (Feldeffekttransistoren) werden in jedem Computer, Fernseher und Radio verwendet. Hinzufügen und Aufrüsten kleinerer Komponenten, die die Geräte schneller und sauberer laufen lassen. Sie werden auch in Mobiltelefonen und anderen tragbaren elektronischen Geräten verwendet, da sie nur sehr wenig Strom zum Funktionieren benötigen. Unsere Geräte können jetzt leistungsstark und (relativ) tragbar sein.
Ein N-Kanal-FET erhält eine NEGATIVE Ladung an den Gates (auch als „Anreicherungsmodus“ bekannt). Er benötigt eine positive Spannung, die je nach Typ zwischen 5 V und VDC auf Logikpegeln liegt, damit er vollständig schalten kann. Dieser Transistortyp wird häufig in digitalen Schaltkreisen eingesetzt, wo er als Schalter zum Ein- und Ausschalten des Schaltkreises dienen kann.
Dies sind die Haupttypen von Transistor-FETs; es gibt viele verschiedene Untertypen, die für spezielle Anforderungen entwickelt wurden. Hochfrequenz-JFETs (z. B. Junction-Feldeffekttransistoren) Sie werden auch in Audioverstärkern verwendet, die eine hohe Qualität und außergewöhnliche Klarheit bieten. Der andere Typ ist der Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET). Sie werden häufig in Schaltkreisen und Stromversorgungen verwendet. Hochleistung: Diese werden in Anwendungen mit sehr hohen Spannungen und Strömen verwendet
FETs des Transistors haben mehrere Vorteile, weshalb sie hauptsächlich in elektronischen Geräten verwendet werden. Ihre geringere Größe ist einer der Hauptvorteile im Vergleich zu anderen Technologien, die kostengünstiger hergestellt werden können. Ein großer Vorteil davon ist, dass sie in großen Mengen hergestellt werden können, um für praktisch jedes Gerät geeignet zu sein. Sie sind auch ziemlich zuverlässig: Sie können Jahr für Jahr problemlos verwendet werden.
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