Siliziumkarbid-Wafer (SiC) erfreuen sich ebenfalls wachsender Beliebtheit, da es immer mehr Anwendungen gibt, die eine höhere Leistungsdichte der Elektronik erfordern. Der Unterschied bei SiC-Wafern besteht darin, dass sie höhere Leistungspegel bewältigen, mit einer viel höheren Frequenz arbeiten und hohe Temperaturen aushalten können. Diese ungewöhnlichen Eigenschaften haben sowohl Hersteller als auch Endverbraucher angezogen, da sich der Markt in Richtung Energieeinsparung und hochleistungsfähiger elektronischer Geräte verlagert.
Die Halbleiterlandschaft entwickelt sich rasant, und die SiC-Wafer-Technologie hat der Branche im Hinblick auf kleine Geräte, die flexibler und schneller sind und weniger Strom verbrauchen, einen Fortschritt beschert. Dieses Leistungsniveau hat die Entwicklung und den Einsatz in Hochspannungs-/Hochtemperatur-Leistungsmodulen, Wechselrichtern oder Dioden ermöglicht, die vor einem Jahrzehnt noch unvorstellbar gewesen wären.
Die Änderungen in der Waferchemie von SiC-Wafern zeichnen sich durch verbesserte elektrische und mechanische Eigenschaften im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis aus. SiC ermöglicht den Betrieb elektronischer Geräte bei höheren Frequenzen und Spannungen, die extreme Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten bewältigen können. SiC-Wafer werden gegenüber anderen Optionen aufgrund ihrer herausragenden Eigenschaften bevorzugt, die eine hohe Leistung in elektronischen Geräten ermöglichen und auch in einer Reihe von Anwendungen Anwendung finden, darunter Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Industrieautomatisierung.
Elektrofahrzeuge erfreuen sich enormer Beliebtheit, was vor allem an der SiC-Technologie liegt, die maßgeblich zu ihrer Weiterentwicklung beigetragen hat. SiC kann die gleiche Leistung wie konkurrierende Komponenten wie MOSFETs, Dioden und Leistungsmodule erbringen, bietet jedoch eine Reihe von Vorteilen gegenüber bestehenden Siliziumlösungen. Die hohen Schaltfrequenzen von SiC-Bauelementen verringern Verluste und erhöhen die Effizienz, sodass Elektrofahrzeuge mit einer einzigen Ladung größere Reichweiten erreichen können.
Galerie mit Mikrofotografien zur Herstellung von SiC-Wafer (Vorlage für ein Trauerprogramm) Mehr Details zum Bergbauprozess: Bergbaumethodik für Elektrizität Neuberechnung des Halbleitersturzes epicugmaster /Pixabay Mit aufkommenden Anwendungen wie Leistungsgeräten aus Siliziumkarbid und HF-Galliumnitrid (GaN) bewegen sich Sandwichkomponenten jedoch in Richtung Dicken im Bereich von 100 mm, über die hinaus eine Bearbeitung mit Diamantdraht sehr zeitaufwändig oder unmöglich ist.
SiC-Wafer werden bei sehr hohen Temperaturen und extrem hohem Druck hergestellt, um Wafer von bester Qualität zu produzieren. Bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Wafern werden hauptsächlich die Methoden der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und der Sublimationsmethode verwendet. Dies kann auf zwei Arten erfolgen: ein Verfahren wie die chemische Gasphasenabscheidung (CVD), bei der SiC-Kristalle in einer Vakuumkammer auf einem SiC-Substrat wachsen, oder durch die Sublimationsmethode, bei der Siliziumkarbidpulver erhitzt wird, um wafergroße Fragmente zu bilden.
Aufgrund der Komplexität der SiC-Wafer-Herstellungstechnologie sind spezielle Geräte erforderlich, die sich direkt auf ihre hohe Qualität auswirken. Diese Parameter, einschließlich Kristalldefekte, Dotierungskonzentration, Waferdicke usw., die während des Herstellungsprozesses festgelegt werden, wirken sich auf die elektrischen und mechanischen Eigenschaften der Wafer aus. Führende Industrieunternehmen haben bahnbrechende SiC-Herstellungsprozesse mit fortschrittlichen Technologien entwickelt, um SiC-Wafer in Premiumqualität herzustellen, die verbesserte Geräte- und Festigkeitseigenschaften bieten.
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