Siliconcarbid (SiC)-Wafer gewinnen ebenfalls an Popularität, da die Anzahl der Anwendungen zunimmt, die leistungsdichtere Elektronik erfordern. Der Unterschied bei SiC-Wafern besteht darin, dass sie höhere Leistungsebenen verarbeiten können, bei viel höherer Frequenz arbeiten und mit hohen Temperaturen umgehen können. Diese ungewöhnliche Kombination von Eigenschaften hat sowohl Hersteller als auch Endanwender angezogen, da es einen Marktwandel hin zu energieeffizienteren sowie leistungsstärkeren elektronischen Geräten gibt.
Die Halbleiterlandschaft entwickelt sich rasch, und SiC-Wafertechnologie hat die Branche in Bezug auf kleinere Geräte vorangetrieben, die wendiger, schneller und weniger Energie verbrauchen. Dieses Maß an Leistungsfähigkeit ist es, das die Entwicklung und den Einsatz in Hochspannung/Hohtemperatur-Leistungsmodule, -Umrichtern oder -Dioden ermöglicht hat, die vor einem Jahrzehnt kaum vorstellbar waren.
Die Veränderungen in der Waferchemie von SiC-Wafers werden dadurch gekennzeichnet, dass sie verbesserte elektrische und mechanische Eigenschaften im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Halbleitern aufweisen. SiC ermöglicht es, elektronische Geräte bei höheren Frequenzen, Spannungen und Leistungsbereichen zu betreiben, die extreme Schaltgeschwindigkeiten verarbeiten können. SiC-Wafers werden gegenüber anderen Optionen aufgrund ihrer herausragenden Qualitäten bevorzugt, die eine hohe Leistung in elektronischen Geräten liefern und Anwendungen in verschiedenen Bereichen wie Elektrofahrzeugen (EVs), Solaranlagen und industrieller Automatisierung finden.
Elektrofahrzeuge (EVs) sind massiv an Popularität gewonnen, größtenteils dank der SiC-Technologie, die erheblich zu ihrer weiteren Entwicklung beiträgt. SiC ist in der Lage, das gleiche Leistungslevel wie konkurrierende Komponenten bereitzustellen, darunter MOSFETs, Dioden und Leistungsmodule, aber SiC bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber bestehenden Silizium-Lösungen. Die hohen Schaltfrequenzen von SiC-Geräten verringern Verluste und erhöhen die Effizienz, was zu längeren Reichweiten von Elektrofahrzeugen bei einer Ladung führt.
Fertigungsgalerie von SiC-Wafern (Photomikrografie) (Beispielformular für Trauerfeier) Mehr Details Abbauverfahren: Stromabbau Methode Halbleiterumkalkulation Epikugmaster / Pixabay. Doch mit aufkommenden Anwendungen wie Siliciumcarbid-Leistungsbereich und HF-Galliumnitrid (GaN) bewegen sich Sandwich-Komponenten in Richtung von Dicken im Bereich von 100 mm, über die es sehr zeitaufwändig oder unmöglich für Diamantdraht ist.
SiC-Wafer werden bei sehr hohen Temperaturen und extrem hohem Druck hergestellt, um Wafer bester Qualität zu produzieren. Die Herstellung von Siliziumcarbid-Wafern verwendet hauptsächlich die Verfahren der chemischen Dampfphasenabscheidung (CVD) und der Sublimationsmethode. Dies kann auf zwei Arten erfolgen: Ein Prozess wie die chemische Dampfphasenabscheidung (CVD), bei dem SiC-Kristalle auf einem SiC-Substrat in einer Vakuumkammer wachsen, oder durch die Sublimationsmethode, bei der Siliziumcarbidpulver erhitzt wird, um wafergroße Fragmente zu bilden.
Aufgrund der Komplexität der SiC-Wafer-Herstellungstechnologie erfordert sie spezielle Ausrüstung, die direkt ihre hohe Qualität beeinflusst. Diese Parameter, einschließlich Kristalldefekte, Dotierungs konzentration, Waferdicke etc., die während des Fertigungsprozesses festgelegt werden, wirken sich auf die elektrischen und mechanischen Eigenschaften der Wafers aus. Führende Industrieunternehmen haben bahnbrechende SiC-Fertigungsprozesse mit fortgeschrittenen Technologien entwickelt, um SiC-Wafers von Premiumqualität herzustellen, die verbesserte Bauelement- und Festigkeitseigenschaften bieten.
ein etabliertes Serviceteam, bietet SiC-Wafer-Qualitätsprodukte zu erschwinglichen Preisen für Kunden.
Allswell Tech Support steht bereit, um auf alle Fragen bezüglich SiC-Wafer und Allswells Produkten einzugehen.
Expertenanalytiker für SiC-Wafer kann das neueste Wissen teilen und zur Entwicklung der Industrie-Kette beitragen.
Qualität der SiC-Wafer durch den gesamten Prozess dank professioneller Labore und strenger Akzeptanztests.
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
