1200v sic mosfet

Eine Übersicht über Anwendungen von 1200V SiC MOSFETs

1200V SiC MOSFETs bieten eine höhere Spannung und schnellere Schaltgeschwindigkeiten, wodurch sie für die meisten Anwendungen ideal sind. SiC MOSFETs können in elektrischen Fahrzeugen eingesetzt werden, um die Effizienz und Leistung der Leistungselektronik für solche motorgetriebenen Anwendungen zu steigern. Da die Schaltgeschwindigkeit von SiC MOSFETs schneller ist, können sie auch in industriellen Servomotoren und Netzteilen eingesetzt werden, wo Überhitzung des Halbbrückenwechselrichters ein Problem sein könnte.

Ein Segment, in das SiC-MOSFETs Eingang finden, sind erneuerbare Energiesysteme. Als Beispiel können SiC-MOSFETs in Solarsystemen die potenzielle Fähigkeit haben, höhere Leistungsdichte und längere Lebensdauer für Wechselrichter zu ermöglichen, die den Gleichstrom der Solarpanele in Netzfrequenz umwandeln. Aufgrund der höheren Spannungsfähigkeiten von SiC-MOSFETs sind sie ideal für diese Anwendung, da Solarpanele hohe Spannungen erzeugen und traditionelle Silizium-MOSFETs damit schwer kämpfen.

Vorteile von 1200V SiC-MOSFETs für den Einsatz in Hochtemperaturumgebungen

Vor allem können SiC-MOSFETs auch bei hohen Temperaturen arbeiten. Silizium-MOSFETs sind dagegen bei hohen Temperaturen größtenteils ineffizient und können überhitzen und aufhören zu funktionieren. Im Gegensatz zu Silizium-MOSFETs kann ein SiC-MOSFET bis zu 175°C betrieben werden, was höher ist als die maximale Temperatur für die am häufigsten verwendete Motorkraftisolationsklasse.

Diese hohe thermische Leistungsfähigkeit könnte ein Paradigmenwechsel in industriellen Anwendungsfällen sein. Zum Beispiel können SiC-MOSFETs verwendet werden, um die Geschwindigkeit und Drehmoment eines Motors in Motorantrieben zu regulieren. In einer Hochtemperaturumgebung, in der der Motor betrieben wird, können SiC-MOSFETs effizienter und zuverlässiger als traditionelle siliziumbasierte MOSFETs sein.

Wie 1200V SiC MOSFETs Erneuerbare-Energiesysteme verbessern

Die Erneuerbaren-Energiesysteme sind ein besonders großes und wachsendes Gebiet für den Einfluss von 1200V SiC-MOSFETs. Die Welt neigt sich dem Trend zu erneuerbaren Energiequellen wie Solar oder Windenergie zu, was die Notwendigkeit erhöht, effiziente Leistungs elektronik zu erreichen.

Die Verwendung von SiC-MOSFETs kann auch viele alltägliche Probleme in Erneuerbaren-Energiesystemen lösen. Als Beispiel können sie im Wechselrichter verwendet werden, um Gleichstrom von Solarmodulen in Wechselstrom für das Netz umzuwandeln. Die SiC-MOSFETs machen diese Umwandlung vorteilhafter, was bedeutet, dass der Wechselrichter mit einer höheren Effizienz und geringeren Leistungsverlusten arbeiten kann.

SiC-MOSFETs können auch bei der Bewältigung einiger anderer Probleme helfen, die mit der Netzeinbindung von erneuerbaren Energiesystemen verbunden sind. Zum Beispiel, wenn durch Solarenergie oder Windkraft ein starkes Anstiegsverhalten entsteht, kann digital geregelt werden, wie viel das Netz belasten kann. Netzeingangsinverter: SiC-MOSFETs in netzeingangsgebundenen Wechselrichtern ermöglichen die aktive Steuerung von Blindleistung, was zur Netzstabilisierung und einer zuverlässigen Energieübertragung beiträgt.

Entfesseln Sie die Kraft von 1200V SiC MOSFETs in moderner Elektronik

MOSFETs basieren auf Siliciumkarbid und dessen Eigenschaften mit einem breiten Bandlückenspektrum, um bei weitaus höheren Temperaturen, Frequenzen und Spannungen zu arbeiten als ihre einfacheren Silizium-Vorgänger. Diese 1200V-Bewertung ist besonders wichtig für Hochleistungs-Umrichteranwendungen wie Elektrofahrzeuge (EVs), photovoltaische Wechselrichter und industrielle Motorantriebe. SiC-MOSFETs verringern die Schaltverluste und Leitungsverluste, was eine neue Effizienzebene ermöglicht, die ihrerseits kleinere Kühlungssysteme, geringeren Energieverbrauch und langfristige Kosteneinsparungen nach sich zieht.

Was das für Erneuerbare-Energiesysteme bedeutet

In das Netz integrierte regenerativ energieerzeugende Systeme auf Basis von Solar-PV und Windkraftanlagen sind empfindlich gegenüber Änderungen der Spannung, der Stromfrequenz usw. und erfordern Komponenten, die mit der durch Schwankungen der Eingangspannung bedingten geringeren Effizienz umgehen können. 1200V SiC MOSFETs erreichen dies durch schnellere Schaltfrequenzen, wodurch eine bessere Steuerung der Leistungsumwandlung ermöglicht wird. Dies führt nicht nur zu einer höheren Gesamtsystemeffizienz, sondern auch zu einer verbesserten Netzsicherheit und -integrationsfähigkeit und spielt eine wichtige Rolle bei der Förderung einer umweltfreundlicheren und nachhaltigeren Energiebereitstellung.

Größte Reichweite und schnelleres Laden dank 1200V SiC MOSFET-Technologie [Englisch]

Das sind die magischen Worte in der Elektrofahrzeug-Industrie (EV), wo Hausmarken und avantgardistisches Design hauptsächlich dazu dienen, die hohe Priorität auf die Erreichung von größeren Reichweiten als die Konkurrenz sowie kürzere Ladezeiten zu unterstützen. Cree's 1200V SiC MOSFETs sparen Platz und Gewicht in EV-Antriebssträngen, wenn sie in an Bord befindliche Ladegeräte und Antriebssysteme integriert werden. Ihre höhere Temperaturbetriebfähigkeit reduziert die Kühlanforderungen, was mehr Platz und Gewicht für weitere Batterien schafft oder das Fahrzeugdesign verbessert. Darüber hinaus fördert die erhöhte Effizienz die Reichweiterweiterung und schnellere Ladezeiten – zwei Schlüsselfaktoren bei der Aufnahme von EVs durch Verbraucher, die ihre weltweite Verbreitung beschleunigen werden.

Lösung der Herausforderung hoher Temperaturen in kleineren und zuverlässigeren Systemen

Thermisches Management und Platzbeschränkungen sind echte Fallstricke in vielen leistungsstarken elektronischen Systemen. Da der 1200V SiC MOSFET so widerstandsfähig gegenüber höheren Temperaturen ist, bedeutet dies, dass Kühlungssysteme sowie Verpackungen ebenfalls verkleinert werden können, ohne dass die Zuverlässigkeit leidet. SiC MOSFETs spielen eine entscheidende Rolle in Branchen wie Luft- und Raumfahrt, Erdöl- und Gasförderung sowie Schwergerätebau, wo Betriebsbedingungen anspruchsvoll sind und der Platz für kleinere Auflagen und weniger Gewicht begrenzt ist, wodurch Widerstandsfähigkeit bei rauen Bedingungen geboten wird und Wartungsanforderungen reduziert werden.

Breite Einsatzmöglichkeiten von Siliziumcarbid-MOSFETs bei 1200 V

Die Anwendungen von 1200V SiC MOSFETs erstrecken sich jedoch weit über erneuerbare Energien und elektrische Mobilität hinaus. Sie werden bei der Entwicklung von Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern für Rechenzentren und Telekommunikationsausrüstungen eingesetzt, um Energieeffizienz und Leistungsdichte zu gewährleisten. Sie tragen zur Verkleinerung von Bildgebungssystemen und chirurgischen Instrumenten in medizinischen Geräten bei. SiC-Technologie treibt Ladegeräte und Adapter in der Konsumelektronik an, was zu kleineren, kühler arbeitenden und effizienteren Geräten führt. Mit fortlaufender Forschung und Entwicklung erscheinen die Anwendungen dieser fortschrittlichen Materialien praktisch grenzenlos.