1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solarwechselrichter

Herkunftsort:	Zhejiang
Markenname:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV2Q171R0D7Z
Zertifizierung:	AEC-Q101 zertifiziert

Merkmale

• 2. Generation SiC MOSFET-Technologie mit +15~+18V Gattertreibspannung

• Hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand

• Hochgeschwindigkeitswechsel mit geringer Kapazität

• Betriebsfähigkeit bei einer Gleichrichtertemperatur von 175℃

• Ultrschnelles und robustes intrinsisches Körperschottkydiode

• Kelvin-Gatter-Eingang erleichtert die Schaltungsentwicklung

• AEC-Q101 zertifiziert

Anwendungen

• Solarumrichter

• Hilfsspannungsversorgungen

• Schaltnetzteile

• Intelligente Zähler

Übersicht:

 

Kennzeichnungsdiagramm:

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VDS	Dreckschlepp-Spannung	1700	v	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Transient)	Maximale Spikespannung	-10 bis 23	v	Tastgrad <1% und Impulsdauer <200ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	15 bis 18	v
VGSoff	Empfohlene Ausschaltspannung	-5 bis -2	v	Typischer Wert -3,5V
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	6.3	Ein	VGS =18V, TC =25°C	Abb. 23
		4.8	Ein	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Drehschaltstrom (gepulst)	15.7	Ein	Pulsbreite durch SOA und dynamischen Rθ(J-C) begrenzt	Abb. 25, 26
ISM	Körperschaltaustrom (gepulst)	15.7	Ein	Pulsbreite durch SOA und dynamischen Rθ(J-C) begrenzt	Abb. 25, 26
Ptot	Gesamtleistungsverlust	73	W	TC =25°C	Abb. 24
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-55 bis 175	°C
Tj	Betriebstemperatur der Leiterplatte	-55 bis 175	°C

Thermaldaten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Hinweis
Rθ(J-C)	Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse	2.05	°C/W	Abb. 25

Elektrische Eigenschaften (TC =25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
		Min.	- Das ist typisch.	Max.
IDSS	Durchflussstrom bei null Gate-Spannung		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Durchlässigkeit des Tores			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Schrankschwellenspannung	1.8	3.0	4.5	v	VGS =VDS , ID =380uA	Abb. 8, 9
			2.0		v	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Statische Drain-Source-Ein-Widerstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Abb. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Eingangskapazität		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Abb. 16
Coss	Ausgangskapazität		15.3		PF
Crss	Rückwärtsübertragungs-Kapazität		2.2		PF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		11		μJ		Abb. 17
QG	Gesamtgate Ladung		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 bis 18V	Abb. 18
Qgs	Gitter-Quell-Ladung		2.7		nC
Qgd	Gitter-Drain-Ladung		12.5		nC
Rg	Gitter-Eingangswiderstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Einschalt-Schaltenergie		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3,5V bis 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Abb. 19, 20
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		17.0		μJ
Die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		4.8		NS
Tr	Aufstiegszeit		13.2
Td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung		12.0
TF	Herbstzeit		66.8
EON	Einschalt-Schaltenergie		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3,5V bis 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Abb. 22

Rücklaufdiodencharakteristiken (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
		Min.	- Das ist typisch.	Max.
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.0		v	ISD = 1A, VGS = 0V	Abb. 10, 11, 12
			3.8		v	ISD = 1A, VGS = 0V, TJ = 175°C
ist	Diodenvorwärtsstrom (stetig)			11.8	Ein	VGS = -2V, TC = 25°C
				6.8	Ein	VGS = -2V, TC = 100°C
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit		20.6		NS	VGS = -3,5V/+18V, ISD = 2A, VR = 1000V, RG(ext) = 10Ω L = 2330μH di/dt = 5000A/μs
Qrr	Rückwärts-Rückgewinnungsladung		54.2		nC
IRRM	Spitzenwert des Rücklaufstroms		8.2		Ein

Typische Leistung (Kurven)

 

Paketabmessungen

Hinweis:

1. Gehäusebezug: JEDEC TO263, Variation AD

2. Alle Maße in mm

3. Ohne Gewähr für Änderungen