1700 V 1000 mΩ SiC MOSFET Solarwechselrichter Deutschland

Herkunftsort:	Zhejiang
Markenname:	Inventchip-Technologie
Modellnummer:	IV2Q171R0D7Z
Zertifizierung:	AEC-Q101 qualifiziert

Eigenschaften

• SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation mit +15~+18V Gate-Ansteuerung

• Hohe Sperrspannung bei geringem Einschaltwiderstand

• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringer Kapazität

• 175℃ Betriebstemperatur der Sperrschicht

• Ultraschnelle und robuste Intrinsic-Body-Diode

• Treiberschaltungsdesign zur Vereinfachung des Kelvin-Gate-Eingangs

• AEC-Q101 qualifiziert

Anwendungen

• Solar Wechselrichter

• Hilfsstromversorgungen

• Schaltnetzteile

• Intelligente Stromzähler

Outline:

 

Markierungsdiagramm:

absolut beste Bewertungen(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VDS	Drain-Source-Spannung	1700	V	VGS = 0 V, ID = 10 μA
VGSmax (vorübergehend)	Maximale Spitzenspannung	-10 bis 23	V	Arbeitszyklus <1 % und Impulsbreite <200 ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	15 bis 18	V
VGSoff	Empfohlene Abschaltspannung	-5 bis -2	V	Typischer Wert -3.5 V
ID	Entnahmestrom (kontinuierlich)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Abb. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Drainstrom (gepulst)	15.7	A	Pulsbreite begrenzt durch SOA und dynamisches Rθ(JC)	Abb. 25, 26
ISM	Bodydiodenstrom (gepulst)	15.7	A	Pulsbreite begrenzt durch SOA und dynamisches Rθ(JC)	Abb. 25, 26
PTO	Gesamtverlustleistung	73	W	TK = 25°C	Abb. 24
Tstg	Lagertemperaturbereich	-55 bis 175	° C
TJ	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-55 bis 175	° C

Thermische Daten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Note
Rθ(JC)	Wärmewiderstand von der Verbindung zum Gehäuse	2.05	° C / W.	Abb. 25

Elektrische Eigenschaften(TC = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Null-Gate-Spannungs-Drainstrom		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Gate-Leckstrom			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH-KARTE	Gate-Schwellenspannung	1.8	3.0	4.5	V	VGS = VDS, ID = 380 uA	Abb. 8, 9
			2.0		V	VGS = VDS, ID = 380 uA bei TJ = 175 °C
RON	Statische Drain-Quelle eingeschaltet – Widerstand		700 1280	910	mΩ	VGS = 18 V, ID = 1 A @ TJ = 25 °C @ TJ = 175 °C	Abb. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS = 15 V, ID = 1 A @ TJ = 25 °C @ TJ = 175 °C
Ciss	Eingangskapazität		285		pF	VDS =1000 V, VGS =0 V, f=1 MHz, VAC=25 mV	Abb. 16
Koss	Ausgangskapazität		15.3		pF
Krss	Rückübertragungskapazität		2.2		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		11		μJ		Abb. 17
Qg	Gesamte Gate-Gebühr		16.5		nC	VDS = 1000 V, ID = 1 A, VGS = -5 bis 18 V	Abb. 18
Qgs	Gate-Source-Ladung		2.7		nC
Qgd	Gate-Drain-Ladung		12.5		nC
Rg	Gate-Eingangswiderstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Schaltenergie einschalten		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Abb. 19, 20
EAUS	Schaltenergie abschalten		17.0		μJ
td(ein)	Einschaltverzögerungszeit		4.8		ns
tr	Anstiegszeit		13.2
td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		12.0
tf	Abfallzeit		66.8
EON	Schaltenergie einschalten		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Abb. 22

Eigenschaften der Sperrdiode(TC =25.C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
		Min.	Typ.	Max.
VSD	Diodendurchlassspannung		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Abb. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD = 1 A, VGS = 0 V, TJ = 175 °C
IS	Dioden-Durchlassstrom (kontinuierlich)			11.8	A	VGS = -2 V, TC = 25 °C
				6.8	A	VGS = -2 V, TC = 100 °C
trr	Reverse-Recovery-Zeit		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω  L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Reverse-Recovery-Gebühr		54.2		nC
IRRM	Spitzenrückstrom		8.2		A

Typische Leistung (Kurven)

 

Paket-Maße

Hinweis:

1. Paketreferenz: JEDEC TO263, Variante AD

2. Alle Maße sind in mm angegeben

3. Änderungen ohne Vorankündigung vorbehalten