1200V 40mΩ Gen2 Automobil-SiC MOSFET

Merkmale

Anwendungen

Übersicht:

Kennzeichnungsdiagramm:

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VDS	Dreckschlepp-Spannung	1200	v	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Transient)	Maximale Transientenspannung	-10 bis 23	v	Tastverhältnis <1%, und Impulsdauer <200ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	15 bis 18	v
VGSoff	Empfohlene Ausschaltspannung	-5 bis -2	v	Typisch -3,5V
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	65	Ein	VGS =18V, TC =25°C	Abb. 23
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	48	Ein	VGS =18V, TC =100°C	Abb. 23
IDM	Drehschaltstrom (gepulst)	162	Ein	Pulsbreite durch SOA und dynamischen Rθ(J-C) begrenzt	Abb. 25, 26
ISM	Körperschaltaustrom (gepulst)	162	Ein	Pulsbreite durch SOA und dynamischen Rθ(J-C) begrenzt	Abb. 25, 26
Ptot	Gesamtleistungsverlust	375	W	TC =25°C	Abb. 24
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-55 bis 175	°C
Tj	Betriebstemperatur der Leiterplatte	-55 bis 175	°C
TL	Löttemperatur	260	°C	Wellenlötverfahren nur an den Anschlussleitungen, 1.6mm vom Gehäuse entfernt für 10 s

Thermaldaten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Hinweis
Rθ(J-C)	Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse	0.4	°C/W	Abb. 25

Elektrische Kennwerte (TC = 25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
IDSS	Durchflussstrom bei null Gate-Spannung		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Durchlässigkeit des Tores			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Schrankschwellenspannung	1.8	2.8	4.5	v	VGS =VDS , ID =9mA	Abb. 8, 9
VTH	Schrankschwellenspannung		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Abb. 8, 9
Ron	Statische Drain-Source-Ein-Widerstand		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Abb. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175°C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25°C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175°C
Ciss	Eingangskapazität		2160		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Abb. 16
Coss	Ausgangskapazität		100		PF
Crss	Rückwärtsübertragungs-Kapazität		5.8		PF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		40		μJ		Abb. 17
QG	Gesamtgate Ladung		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 bis 18V	Abb. 18
Qgs	Gitter-Quell-Ladung		25		nC
Qgd	Gitter-Drain-Ladung		59		nC
Rg	Gitter-Eingangswiderstand		2.1		Ω	f=1MHz
EON	Einschalt-Schaltenergie		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25°C	Abb. 19, 20
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		70.0		μJ
Die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		9.6		NS
Tr	Aufstiegszeit		22.1
Td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung		19.3
TF	Herbstzeit		10.5
EON	Einschalt-Schaltenergie		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =175°C	Abb. 22
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		73.8		μJ		Abb. 22

Rückwärts-Diode-Eigenschaften (TC =25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.2		v	ISD =20A, VGS =0V	Abb. 10, 11, 12
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.0		v	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	Abb. 10, 11, 12
ist	Diodenvorwärtsstrom (stetig)			63	Ein	VGS = -2V, TC = 25°C
ist	Diodenvorwärtsstrom (stetig)			36	Ein	VGS = -2V, TC = 100°C
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit		42.0		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Rückwärts-Rückgewinnungsladung		198.1		nC
IRRM	Spitzenwert des Rücklaufstroms		17.4		Ein