1200 V 40 mΩ Gen2 Automotive-SiC-MOSFET Deutschland

Eigenschaften

Anwendungen

Outline:

Markierungsdiagramm:

absolut beste Bewertungen(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VDS	Drain-Source-Spannung	1200	V	VGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (vorübergehend)	Maximale Übergangsspannung	-10 bis 23	V	Arbeitszyklus <1 % und Impulsbreite <200 ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	15 bis 18	V
VGSoff	Empfohlene Abschaltspannung	-5 bis -2	V	Typisch -3.5 V
ID	Entnahmestrom (kontinuierlich)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Abb. 23
ID	Entnahmestrom (kontinuierlich)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Abb. 23
IDM	Drainstrom (gepulst)	162	A	Pulsbreite begrenzt durch SOA und dynamisches Rθ(JC)	Abb. 25, 26
ISM	Bodydiodenstrom (gepulst)	162	A	Pulsbreite begrenzt durch SOA und dynamisches Rθ(JC)	Abb. 25, 26
PTO	Gesamtverlustleistung	375	W	TK = 25°C	Abb. 24
Tstg	Lagertemperaturbereich	-55 bis 175	° C
TJ	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-55 bis 175	° C
TL	Löttemperatur	260	° C	Wellenlöten ist nur an Anschlüssen zulässig, 1.6 mm vom Gehäuse entfernt, für 10 s

Thermische Daten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Note
Rθ(JC)	Wärmewiderstand von der Verbindung zum Gehäuse	0.4	° C / W.	Abb. 25

Elektrische Eigenschaften (TC = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Test-Bedingungen	Note
IDSS	Null-Gate-Spannungs-Drainstrom		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate-Leckstrom			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH-KARTE	Gate-Schwellenspannung	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS, ID =9mA	Abb. 8, 9
VTH-KARTE	Gate-Schwellenspannung		2.1			VGS = VDS , ID = 9 mA bei TJ = 175 °C	Abb. 8, 9
RON	Statische Drain-Quelle eingeschaltet – Widerstand		40	52	mΩ	VGS = 18 V, ID = 20 A bei TJ = 25 °C	Abb. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS = 18 V, ID = 20 A bei TJ = 175 °C
			50	65	mΩ	VGS = 15 V, ID = 20 A bei TJ = 25 °C
			80		mΩ	VGS = 15 V, ID = 20 A bei TJ = 175 °C
Ciss	Eingangskapazität		2160		pF	VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz, VAC = 25 mV	Abb. 16
Koss	Ausgangskapazität		100		pF
Krss	Rückübertragungskapazität		5.8		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		40		μJ		Abb. 17
Qg	Gesamte Gate-Gebühr		110		nC	VDS = 800 V, ID = 30 A, VGS = -3 bis 18 V	Abb. 18
Qgs	Gate-Source-Ladung		25		nC
Qgd	Gate-Drain-Ladung		59		nC
Rg	Gate-Eingangswiderstand		2.1		Ω	f=1MHz
EON	Schaltenergie einschalten		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Abb. 19, 20
EAUS	Schaltenergie abschalten		70.0		μJ
td(ein)	Einschaltverzögerungszeit		9.6		ns
tr	Anstiegszeit		22.1
td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		19.3
tf	Abfallzeit		10.5
EON	Schaltenergie einschalten		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Abb. 22
EAUS	Schaltenergie abschalten		73.8		μJ		Abb. 22

Eigenschaften der Sperrdiode (TC = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VSD	Diodendurchlassspannung		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Abb. 10, 11, 12
VSD	Diodendurchlassspannung		4.0		V	ISD = 20 A, VGS = 0 V, TJ = 175 °C	Abb. 10, 11, 12
IS	Dioden-Durchlassstrom (kontinuierlich)			63	A	VGS = -2 V, TC = 25 °C
IS	Dioden-Durchlassstrom (kontinuierlich)			36	A	VGS = -2 V, TC = 100 °C
trr	Reverse-Recovery-Zeit		42.0		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Reverse-Recovery-Gebühr		198.1		nC
IRRM	Spitzenrückstrom		17.4		A