SiC SBD

1200V 40A Automobil-SiC-Schottky-Diode

Einführung

Einführung

Herkunftsort:	Zhejiang
Markenname:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV1D12040U3Z
Zertifizierung:	AEC-Q101 zertifiziert

Mindestmengenverpackung:	450 Stk.
Preis:
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Merkmale

Maximale Junction-Temperatur 175°C
Hohe Überspannungsfähigkeit
Null Rücklaufstrom
Null Vorwärtsausgleichsspannung
Hochfrequenzbetrieb
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Positive Temperaturabhängigkeit von VF
AEC-Q101 zertifiziert

Anwendungen

Freilaufdioden für Automobilwechselrichter
Ladepunkte für Elektrofahrzeuge
Vienna Drei-Phasen PFC
Solarstrom-Boost
Schaltnetzteile

Gliederung

Markierungsdiagramm

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit
VRRM	Umgekehrte Spannung (wiederholender Spitzenwert)	1200	v
VDC	Gleichrichtersperrespannung	1200	v
IF	Vorwärtsstrom (kontinuierlich) @Tc=25°C	54*	Ein
	Vorwärtsstrom (kontinuierlich) @Tc=135°C	28*	Ein
	Vorwärtsstrom (kontinuierlich) @Tc=151°C	20*	Ein
IFSM	Überspannung nicht wiederholender Vorwärtsstrom Sinus-Halbwelle bei Tc=25°C tp=10ms	140*	Ein
IFRM	Überspannung wiederholender Vorwärtsstrom (Frequenz=0,1Hz, 100 Zyklen) Sinus-Halbwelle bei Tamb =25°C tp=10ms	115*	Ein
Ptot	Gesamtverlustleistung bei Tc=25°C	272*	W
	Gesamtverlustleistung bei Tc=150°C	45*
	I2t-Wert bei Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-55 bis 175	°C
Tj	Betriebstemperaturbereich der Leistungsschaltung	-55 bis 175	°C

*Pro Bein

Belastungen, die die in der Tabelle der maximalen Werte aufgelisteten überschreiten, können das Gerät beschädigen. Wird eines dieser Limitierungen überschritten, sollte nicht angenommen werden, dass das Gerät

funktioniert, es kann Schäden erleiden und die Zuverlässigkeit kann beeinträchtigt werden.

Elektrische Eigenschaften

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VF	Durchlassspannung	1,48*	1,8*	v	IF = 20 A TJ = 25°C	Abb. 1
		2,1*	3,0*		IF = 20 A TJ =175°C
Ir	Rückstrom	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Abb. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Gesamtkapazität	1114*		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Abb. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Qualitätskontrolle	Gesamt kapazitive Ladung	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Abb. 4
ec	Kapazitätsgespeicherte Energie	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Abb. 5