SiC SBD

1200 V 40 A Automobil-SiC-Schottkydiode Deutschland

Einleitung

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Herkunftsort:	Zhejiang
Markenname:	Inventchip-Technologie
Modellnummer:	IV1D12040U3Z
Zertifizierung:	AEC-Q101 qualifiziert

Mindestverpackungsmenge:	450PCS
Preis:
Verpackungsdetails:
Lieferzeit:
Zahlungsbedingungen:
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

Eigenschaften

Max. Sperrschichttemperatur 175°C
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Null Rückstrom
Null-Durchlass-Wiederherstellungsspannung
Hochfrequenzbetrieb
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Positiver Temperaturkoeffizient auf VF
AEC-Q101 qualifiziert

Anwendungen

Freilaufdioden für Kfz-Wechselrichter
Ladesäulen für Elektrofahrzeuge
Dreiphasiger PFC Vienna
Solarstrom-Boost
Schaltnetzteile

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Markierungsdiagramm

absolut beste Bewertungen(Tc = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit
VRRM	Sperrspannung (wiederkehrende Spitze)	1200	V
VDC	DC-Sperrspannung	1200	V
IF	Durchlassstrom (kontinuierlich) @Tc=25°C	54 *	A
	Durchlassstrom (kontinuierlich) @Tc=135°C	28 *	A
	Durchlassstrom (kontinuierlich) @Tc=151°C	20 *	A
IFSM	Stoß nicht wiederkehrender Vorwärtsstrom Sinushalbwelle @Tc=25°C tp=10ms	140 *	A
IFRM	Stoßförmiger, sich wiederholender Vorwärtsstrom (Freq=0.1Hz, 100 Zyklen) Sinushalbwelle @Tamb =25°C tp=10ms	115 *	A
Ptot	Gesamtverlustleistung bei Tc=25°C	272 *	W
	Gesamtverlustleistung bei Tc=150°C	45 *
	I2t-Wert @Tc=25°C tp=10ms	98 *	A2s
Tstg	Lagertemperaturbereich	-55 bis 175	° C
Tj	Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht	-55 bis 175	° C

*Pro Strecke

Belastungen, die die in der Tabelle „Maximale Belastungen“ aufgeführten Werte überschreiten, können das Gerät beschädigen. Wenn einer dieser Grenzwerte überschritten wird,

Von der Funktionalität kann nicht ausgegangen werden, es können Schäden auftreten und die Zuverlässigkeit kann beeinträchtigt sein.

Elektrische Eigenschaften

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VF	Durchlassspannung	1.48 *	1.8 *	V	IF = 20 A TJ =25°C	Abb. 1
		2.1 *	3.0 *		IF = 20 A TJ =175°C
IR	Rückstrom	10 *	200 *	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Abb. 2
		45 *	800 *		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Gesamtkapazität	1114 *		pF	VR = 1 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz	Abb. 3
		100 *			VR = 400 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz
		77 *			VR = 800 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz
QC	Gesamte kapazitive Ladung	107 *		nC	VR = 800 V, TJ = 25 °C, Qc = C(v)dv	Abb. 4
EC	Kapazitiv gespeicherte Energie	31 *		μJ	VR = 800 V, TJ = 25 °C, Ec = C(v) ⋅vdv	Abb. 5