1200 V 25 mOhm SiC-MODUL-Motortreiber Deutschland

Eigenschaften

Anwendungen

Paket

absolut beste Bewertungen(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VDS	Drain-Source-Spannung	1200	V	VGS = 0 V, ID = 200 μA
VGSmax (DC)	Maximale Gleichspannung	-5 bis 22	V	Statisch (DC)
VGSmax (Spitze)	Maximale Spitzenspannung	-10 bis 25	V	<1 % Arbeitszyklus und Impulsbreite <200 ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	20 0.5 ±	V
VGSoff	Empfohlene Abschaltspannung	-3.5 bis -2	V
ID	Entnahmestrom (kontinuierlich)	74	A	VGS =20V, TC =25°C
		50	A	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Drainstrom (gepulst)	185	A	Impulsbreite durch SOA begrenzt	Fig.26
PTO	Gesamtverlustleistung	250	W	TK = 25°C	Fig.24
Tstg	Lagertemperaturbereich	-40 bis 150	° C
TJ	Maximale virtuelle Sperrschichttemperatur unter Schaltbedingungen	-40 bis 150	° C	Produktion
		-55 bis 175	° C	Zeitweilig mit verkürzter Lebensdauer

Thermische Daten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Note
Rθ(JC)	Wärmewiderstand von der Verbindung zum Gehäuse	0.5	° C / W.	Fig.25

Elektrische Eigenschaften(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Null-Gate-Spannungs-Drainstrom		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate-Leckstrom		2	± 200	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH-KARTE	Gate-Schwellenspannung		3.2		V	VGS=VDS, ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS, ID =12mA bei TC =150°C
RON	Statische Drain-Quelle eingeschaltet – Widerstand		25	33	mΩ	VGS = 20 V, ID = 40 A bei TJ = 25 °C	Abb.4-7
			36		mΩ	VGS = 20 V, ID = 40 A bei TJ = 150 °C
Ciss	Eingangskapazität		5.5		nF	VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 100 kHz, VAC = 25 mV	Fig.16
Koss	Ausgangskapazität		285		pF
Krss	Rückübertragungskapazität		20		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		105		μJ		Fig.17
Qg	Gesamte Gate-Gebühr		240		nC	VDS = 800 V, ID = 40 A, VGS = -5 bis 20 V	Fig.18
Qgs	Gate-Source-Ladung		50		nC
Qgd	Gate-Drain-Ladung		96		nC
Rg	Gate-Eingangswiderstand		1.4		Ω	f=100kHZ
EON	Schaltenergie einschalten		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Abb.19-22
EAUS	Schaltenergie abschalten		135		μJ
td(ein)	Einschaltverzögerungszeit		15		ns
tr	Anstiegszeit		4.1
td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		24
tf	Abfallzeit		17
LsCE	Streuinduktivität		8.8		nH

Eigenschaften der Sperrdiode(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VSD	Diodendurchlassspannung		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Abb.10-12
VSD	Diodendurchlassspannung		4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C	Abb.10-12
trr	Reverse-Recovery-Zeit		18		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Reverse-Recovery-Gebühr		1068		nC
IRRM	Spitzenrückstrom		96.3		A

Eigenschaften des NTC-Thermistors