1700V 1000mΩ Hilfsspannungsversorgungen SiC-MOSFET

Merkmale

⚫ 2. Generation SiC MOSFET-Technologie mit

+15~+18V Gattertreibspannung

⚫ Hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand

⚫ Hochgeschwindigkeitsschaltung bei geringer Kapazität

⚫ Betriebliche Grenztemperatur von 175℃ möglich

⚫ Ultrschnelles und robustes interne Body-Diode

⚫ Kelvin-Gate-Eingang erleichtert die Schaltungsentwicklung

Anwendungen

⚫ Solaranlagenwechselrichter

⚫ Hilfspannungsversorgungen

⚫ Schaltnetzteile

⚫ Schlauzähler

Übersicht:

Kennzeichnungsdiagramm:

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VDS	Dreckschlepp-Spannung	1700	v	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Transient)	Maximale Spikespannung	-10 bis 23	v	Tastgrad <1% und Impulsdauer <200ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	15 bis 18	v
VGSoff	Empfohlene Ausschaltspannung	-5 bis -2	v	Typischer Wert -3,5V
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	6.3	Ein	VGS=18V, TC=25°C	Abb. 23
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	4.8	Ein	VGS=18V, TC=100°C	Abb. 23
IDM	Drehschaltstrom (gepulst)	15.7	Ein	Pulsbreite durch SOA und dynamischen Rθ(J-C) begrenzt	Abb. 25, 26
ISM	Körperschaltaustrom (gepulst)	15.7	Ein	Pulsbreite durch SOA und dynamischen Rθ(J-C) begrenzt	Abb. 25, 26
Ptot	Gesamtleistungsverlust	73	W	TC=25°C	Abb. 24
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-55 bis 175	°C
Tj	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-55 bis 175	°C

Thermaldaten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Hinweis
Rθ(J-C)	Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse	2.05	°C/W	Abb. 25

Elektrische Eigenschaften (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
IDSS	Durchflussstrom bei null Gate-Spannung		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Durchlässigkeit des Tores			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Schrankschwellenspannung	1.8	3.0	4.5	v	VGS=VDS, ID=380uA	Abb. 8, 9
VTH	Schrankschwellenspannung		2.0		v	VGS=VDS, ID=380uA bei TJ=175°C	Abb. 8, 9
Ron	Statische Drain-Source-Anschlusswiderstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A bei TJ=25°C bei TJ=175°C	Abb. 4, 5, 6, 7
Ron	Statische Drain-Source-Anschlusswiderstand		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A bei TJ=25°C bei TJ=175°C	Abb. 4, 5, 6, 7
Ciss	Eingangskapazität		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Abb. 16
Coss	Ausgangskapazität		15.3		PF
Crss	Rückwärtsübertragungs-Kapazität		2.2		PF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		11		μJ		Abb. 17
QG	Gesamtgate Ladung		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 bis 18V	Abb. 18
Qgs	Gitter-Quell-Ladung		2.7		nC
Qgd	Gitter-Drain-Ladung		12.5		nC
Rg	Gitter-Eingangswiderstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Einschalt-Schaltenergie		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V bis 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Abb. 19, 20
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		17.0		μJ
Die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		4.8		NS
Tr	Aufstiegszeit		13.2
Td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung		12.0
TF	Herbstzeit		66.8
EON	Einschalt-Schaltenergie		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V bis 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Abb. 22
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		22.0		μJ		Abb. 22

Rücklaufdiodencharakteristiken (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.0		v	ISD=1A, VGS=0V	Abb. 10, 11, 12
VSD	Diodenvorwärtsspannung		3.8		v	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Abb. 10, 11, 12
ist	Diodenvorwärtsstrom (stetig)			11.8	Ein	VGS=-2V, TC=25°C
ist	Diodenvorwärtsstrom (stetig)			6.8	Ein	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit		20.6		NS	VGS=-3,5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Rückwärts-Rückgewinnungsladung		54.2		nC
IRRM	Spitzenwert des Rücklaufstroms		8.2		Ein