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SiC-MOSFET

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1200 V 30 mΩ Gen2 Automotive-SiC-MOSFET
1200 V 30 mΩ Gen2 Automotive-SiC-MOSFET

1200 V 30 mΩ Gen2 Automotive-SiC-MOSFET Deutschland

  • Einleitung

Einleitung
Herkunftsort: Zhejiang
Markenname: Inventchip-Technologie
Modellnummer: IV2Q12030D7Z
Zertifizierung: AEC-Q101 qualifiziert


Eigenschaften

  • SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation mit +18-V-Gate-Ansteuerung

  • Hohe Sperrspannung bei geringem Einschaltwiderstand

  • Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringer Kapazität

  • Hohe Betriebstemperatur der Sperrschicht

  • Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

  • Treiberschaltungsdesign zur Vereinfachung des Kelvin-Gate-Eingangs

Anwendungen

  • Motortreiber

  • Solar Wechselrichter

  • Automotive DC/DC-Wandler

  • Kfz-Kompressorwechselrichter

  • Schaltnetzteile


Outline:

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Markierungsdiagramm:

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absolut beste Bewertungen(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol Parameter Wert Einheit Test-Bedingungen Note
VDS Drain-Source-Spannung 1200 V VGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (DC) Maximale Gleichspannung -5 bis 20 V Statisch (DC)
VGSmax (Spitze) Maximale Spitzenspannung -10 bis 23 V Arbeitszyklus <1 % und Impulsbreite <200 ns
VGSon Empfohlene Einschaltspannung 18 0.5 ± V
VGSoff Empfohlene Abschaltspannung -3.5 bis -2 V
ID Entnahmestrom (kontinuierlich) 79 A VGS =18V, TC =25°C Abb. 23
58 A VGS =18V, TC =100°C
IDM Drainstrom (gepulst) 198 A Impulsbreite durch SOA begrenzt Abb. 26
PTO Gesamtverlustleistung 395 W TK = 25°C Abb. 24
Tstg Lagertemperaturbereich -55 bis 175 ° C
TJ Betriebstemperatur der Sperrschicht -55 bis 175 ° C
TL Löttemperatur 260 ° C Wellenlöten ist nur an Anschlüssen zulässig, 1.6 mm vom Gehäuse entfernt, für 10 s


Thermische Daten

Symbol Parameter Wert Einheit Note
Rθ(JC) Wärmewiderstand von der Verbindung zum Gehäuse 0.38 ° C / W. Abb. 23


Elektrische Eigenschaften(TC =25.C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol Parameter Wert Einheit Test-Bedingungen Note
Min. Typ. Max.
IDSS Null-Gate-Spannungs-Drainstrom 5 100 μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Gate-Leckstrom ± 100 nA VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH-KARTE Gate-Schwellenspannung 1.8 2.8 4.5 V VGS=VDS, ID =12mA Abb. 8, 9
2.0 VGS=VDS, ID =12mA bei TJ =175°C
RON Statische Drain-Quelle eingeschaltet – Widerstand 30 39 VGS = 18 V, ID = 30 A bei TJ = 25 °C Abb. 4, 5, 6, 7
55 VGS = 18 V, ID = 30 A bei TJ = 175 °C
36 47 VGS = 15 V, ID = 30 A bei TJ = 25 °C
58 VGS = 15 V, ID = 30 A bei TJ = 175 °C
Ciss Eingangskapazität 3000 pF VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz, VAC = 25 mV Abb. 16
Koss Ausgangskapazität 140 pF
Krss Rückübertragungskapazität 7.7 pF
Eoss Coss gespeicherte Energie 57 μJ Abb. 17
Qg Gesamte Gate-Gebühr 135 nC VDS = 800 V, ID = 40 A, VGS = -3 bis 18 V Abb. 18
Qgs Gate-Source-Ladung 36.8 nC
Qgd Gate-Drain-Ladung 45.3 nC
Rg Gate-Eingangswiderstand 2.3 Ω f=1MHz
EON Schaltenergie einschalten 856.6 μJ VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V,    RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C Abb. 19, 20
EAUS Schaltenergie abschalten 118.0 μJ
td(ein) Einschaltverzögerungszeit 15.4 ns
tr Anstiegszeit 24.6
td(aus) Ausschaltverzögerungszeit 28.6
tf Abfallzeit 13.6


Eigenschaften der Sperrdiode(TC =25.C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol Parameter Wert Einheit Test-Bedingungen Note
Min. Typ. Max.
VSD Diodendurchlassspannung 4.2 V ISD =30A, VGS =0V Abb. 10, 11, 12
4.0 V ISD = 30 A, VGS = 0 V, TJ = 175 °C
trr Reverse-Recovery-Zeit 54.8 ns VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω  L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr Reverse-Recovery-Gebühr 470.7 nC
IRRM Spitzenrückstrom 20.3 A


Typische Leistung (Kurven)

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