1200V 160mΩ Gen2 Automobil-SiC-MOSFET

Merkmale

Anwendungen

Übersicht:

Kennzeichnungsdiagramm:

Absolute maximale Bewertungen (TC=25°C, es sei denn, anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VDS	Dreckschlepp-Spannung	1200	v	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Gleichstrom)	maximale Gleichspannung	-5 bis 20	v	Statisch (Gleichstrom)
VGSmax (Spike)	Maximale Spikespannung	-10 bis 23	v	Tastverhältnis <1%, und Impulsdauer <200ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	18±0,5	v
VGSoff	Empfohlene Ausschaltspannung	-3,5 bis -2	v
Identifizierung	Drehschwingung (kontinuierlich)	19	Ein	VGS =18V, TC =25°C	Abb. 23
		14	Ein	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Drehschaltstrom (gepulst)	47	Ein	Pulsbreite durch SOA begrenzt	Abb. 26
Ptot	Gesamtleistungsverlust	136	W	TC =25°C	Abb. 24
Tstg	Lagerungstemperaturbereich	-55 bis 175	°C
Tj	Betriebstemperatur der Leiterplatte	-55 bis 175	°C
TL	Löttemperatur	260	°C	Wellenlötverfahren nur an den Anschlussleitungen, 1.6mm vom Gehäuse entfernt für 10 s

Thermaldaten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Hinweis
Rθ(J-C)	Thermischer Widerstand von der Leistungshalbleiter-Junction zum Gehäuse	1.1	°C/W	Abb. 25

Elektrische Eigenschaften (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
		Min.	- Das ist typisch.	Max.
IDSS	Durchflussstrom bei null Gate-Spannung		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Durchlässigkeit des Tores			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Schrankschwellenspannung	1.8	2.8	4.5	v	VGS =VDS , ID =2mA	Abb. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Statische Drain-Source-Ein-Widerstand		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Abb. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175. C
Ciss	Eingangskapazität		575		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Abb. 16
Coss	Ausgangskapazität		34		PF
Crss	Rückwärtsübertragungs-Kapazität		2.3		PF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		14		μJ		Abb. 17
QG	Gesamtgate Ladung		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 bis 18V	Abb. 18
Qgs	Gitter-Quell-Ladung		6.6		nC
Qgd	Gitter-Drain-Ladung		14.4		nC
Rg	Gitter-Eingangswiderstand		10		Ω	f=1MHz
EON	Einschalt-Schaltenergie		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=300μH TJ =25。C	Abb. 19, 20
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		22		μJ
Die Daten sind nicht verfügbar.	Verzögerungszeit der Einleitung		2.5		NS
Tr	Aufstiegszeit		9.5
Td (ausgeschaltet)	Verzögerungszeit für die Abschaltung		7.3
TF	Herbstzeit		11.0
EON	Einschalt-Schaltenergie		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3,5 bis 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=300μH TJ =175。C	Abb. 22
EOFF	Ausschalt-Schaltenergie		19		μJ

Rücklaufdiodencharakteristiken (TC =25。C, es sei denn, anders spezifiziert)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit	Prüfbedingungen	Hinweis
VSD	Diodenvorwärtsspannung		4.0		v	ISD =5A, VGS =0V	Abb. 10, 11, 12
VSD	Diodenvorwärtsspannung		3.7		v	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Abb. 10, 11, 12
trr	Rückwärts-Rückgewinnungszeit		26		NS	VGS =-3,5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Rückwärts-Rückgewinnungsladung		92		nC
IRRM	Spitzenwert des Rücklaufstroms		10.6		Ein