1200 V 160 mΩ Gen2 Automotive-SiC-MOSFET Deutschland

Mindestbestellmenge:	450PCS
Preis:
Verpackungsdetails:
Lieferzeit:
Zahlungsbedingungen:
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

Eigenschaften

Anwendungen

Outline:

Markierungsdiagramm:

absolut beste Bewertungen(TC=25°C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VDS	Drain-Source-Spannung	1200	V	VGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (DC)	Maximale Gleichspannung	-5 bis 20	V	Statisch (DC)
VGSmax (Spitze)	Maximale Spitzenspannung	-10 bis 23	V	Arbeitszyklus <1 % und Impulsbreite <200 ns
VGSon	Empfohlene Einschaltspannung	18 0.5 ±	V
VGSoff	Empfohlene Abschaltspannung	-3.5 bis -2	V
ID	Entnahmestrom (kontinuierlich)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Abb. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Drainstrom (gepulst)	47	A	Impulsbreite durch SOA begrenzt	Abb. 26
PTO	Gesamtverlustleistung	136	W	TK = 25°C	Abb. 24
Tstg	Lagertemperaturbereich	-55 bis 175	° C
TJ	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-55 bis 175	° C
TL	Löttemperatur	260	° C	Wellenlöten ist nur an Anschlüssen zulässig, 1.6 mm vom Gehäuse entfernt, für 10 s

Thermische Daten

Symbol	Parameter	Wert	Einheit	Note
Rθ(JC)	Wärmewiderstand von der Verbindung zum Gehäuse	1.1	° C / W.	Abb. 25

Elektrische Eigenschaften(TC =25.C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
		Min.	Typ.	Max.
IDSS	Null-Gate-Spannungs-Drainstrom		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate-Leckstrom			± 100	nA	VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH-KARTE	Gate-Schwellenspannung	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS, ID =2mA	Abb. 8, 9
			2.1			VGS = VDS , ID = 2 mA bei TJ = 175 °C
RON	Statische Drain-Quelle eingeschaltet – Widerstand		160	208	mΩ	VGS = 18 V, ID = 5 A bei TJ = 25 °C	Abb. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS = 18 V, ID = 5 A bei TJ = 175 °C
Ciss	Eingangskapazität		575		pF	VDS = 800 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz, VAC = 25 mV	Abb. 16
Koss	Ausgangskapazität		34		pF
Krss	Rückübertragungskapazität		2.3		pF
Eoss	Coss gespeicherte Energie		14		μJ		Abb. 17
Qg	Gesamte Gate-Gebühr		29		nC	VDS = 800 V, ID = 10 A, VGS = -3 bis 18 V	Abb. 18
Qgs	Gate-Source-Ladung		6.6		nC
Qgd	Gate-Drain-Ladung		14.4		nC
Rg	Gate-Eingangswiderstand		10		Ω	f=1MHz
EON	Schaltenergie einschalten		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Abb. 19, 20
EAUS	Schaltenergie abschalten		22		μJ
td(ein)	Einschaltverzögerungszeit		2.5		ns
tr	Anstiegszeit		9.5
td(aus)	Ausschaltverzögerungszeit		7.3
tf	Abfallzeit		11.0
EON	Schaltenergie einschalten		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Abb. 22
EAUS	Schaltenergie abschalten		19		μJ

Eigenschaften der Sperrdiode(TC =25.C, sofern nicht anders angegeben)

Symbol	Parameter	Wert			Einheit	Test-Bedingungen	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Einheit	Test-Bedingungen	Note
VSD	Diodendurchlassspannung		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Abb. 10, 11, 12
VSD	Diodendurchlassspannung		3.7		V	ISD = 5 A, VGS = 0 V, TJ = 175 °C	Abb. 10, 11, 12
trr	Reverse-Recovery-Zeit		26		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Reverse-Recovery-Gebühr		92		nC
IRRM	Spitzenrückstrom		10.6		A