1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solar invertere Danmark

Place of Origin:	Zhejiang
Brand Name:	Inventchip teknologi
Model nummer:	IV2Q171R0D7Z
Certificering:	AEC-Q101 kvalificeret

Funktioner

• 2. generations SiC MOSFET-teknologi med +15~+18V gate-drev

• Høj blokeringsspænding med lav tænd-modstand

• Højhastighedskobling med lav kapacitans

• 175 ℃ driftsforbindelsestemperaturkapacitet

• Ultrahurtig og robust indre kropsdiode

• Kelvin gate input easing driver kredsløb design

• AEC-Q101 kvalificeret

Applikationer

• Solcelleinverter

• Hjælpestrømforsyninger

• Switch -strømforsyninger

• Smarte målere

Outline:

 

Mærkningsdiagram:

Absolutte maksimale vurderinger(TC=25°C, medmindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Testbetingelser	Bemærk
VDS	Drain-Source spænding	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Forbigående)	Maksimal spidsspænding	-10 til 23	V	Driftscyklus <1 % og pulsbredde <200 ns
VGSøn	Anbefalet tændspænding	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalet sluk-spænding	-5 til -2	V	Typisk værdi -3.5V
ID	Drænstrøm (kontinuerlig)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Drænstrøm (pulserende)	15.7	A	Pulsbredde begrænset af SOA og dynamisk Rθ(JC)	Fig. 25, 26
ISM	Kropsdiodestrøm (pulserende)	15.7	A	Pulsbredde begrænset af SOA og dynamisk Rθ(JC)	Fig. 25, 26
PTOT	Total effekttab	73	W	TC = 25°C	Fig. 24
Tstg	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	° C
TJ	Driftspunktstemperatur	-55 til 175	° C

Termiske data

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Bemærk
Rθ(JC)	Termisk modstand fra kryds til kasse	2.05	° C / W	Fig. 25

Elektriske egenskaber(TC =25°C, medmindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Bemærk
		Min.	Type.	Max.
IDSS	Nul gate spænding drænstrøm		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Port lækstrøm			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH KORT	Gatetærskelspænding	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS, ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS, ID =380uA @ TJ =175°C
RON	Statisk dræn-kilde tændt - modstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Input kapacitans		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Udgangskapacitet		15.3		pF
Crss	Omvendt overførselskapacitans		2.2		pF
Eoss	Coss lagret energi		11		μJ		Fig. 17
Qg	Samlet portafgift		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gate-kilde-afgift		2.7		nC
Qgd	Port-drænopladning		12.5		nC
Rg	Portindgangsmodstand		13		Ω	f = 1 MHz
EON	Tænd skifteenergi		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Sluk for skifteenergi		17.0		μJ
td (til)	Tænd forsinkelsestid		4.8		ns
tr	Tid til at stå op		13.2
td (fra)	Sluk-forsinkelsestid		12.0
tf	Faldstid		66.8
EON	Tænd skifteenergi		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Omvendte diodekarakteristika(TC =25°C, medmindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Bemærk
		Min.	Type.	Max.
VSD	Diode fremadspænding		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	Diode fremadstrøm (kontinuerlig)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
TRR	Omvendt restitutionstid		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω  L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Omvendt genvindingsafgift		54.2		nC
IRRM	Peak omvendt genvindingsstrøm		8.2		A

Typisk ydeevne (kurver)

 

Pakke Mål

Bemærk:

1. Pakkeneference: JEDEC TO263, Variation AD

2. Alle mål er i mm

3. Med forbehold for ændringer uden varsel