1700V 1000mΩ Hjælpestrømforsyninger SiC MOSFET

Funktioner

⚫ 2. generation SiC MOSFET-tekologi med

+15~+18V gate drivning

⚫ Høj spændingsblokering med lav tilstandsmodstand

⚫ Hurtig skifting med lav kapacitet

⚫ Mulighed for drift ved leddetemperatur på 175℃

⚫ Ultra hurtig og robust indbygget kropdiode

⚫ Kelvin-gate input letter design af drivkreds

Ansøgninger

⚫ Solcelle-invertere

⚫ Hjælpestrømforsyninger

⚫ Switch-tilstandsstrømforsyninger

⚫ Smarte måleenheder

Omriss:

Mærkningsdiagram:

Absolutte maksimale værdier (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	værdi	enhed	Testbetingelser	Note
VDS	Drener-kilde-spenning	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Transitorisk)	Maksimal spidsforspænding	-10 til 23	V	Taktpause <1%, og pulsbredde <200ns
VGSon	Anbefalet slukke-spenning	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalet slukke-spenning	-5 til -2	V	Typisk værdi -3,5V
id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	6.3	A.	VGS=18V, TC=25°C	Fig. 23
id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	4.8	A.	VGS=18V, TC=100°C	Fig. 23
IDM	Afskydningstræf (pulsvis)	15.7	A.	Pulsbredde begrænset af SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Kropdiodestrøm (pulsvis)	15.7	A.	Pulsbredde begrænset af SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Samlet effektdissipation	73	W	TC=25°C	Fig. 24
Tstg	opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftstemperatur for junction	-55 til 175	°C

Termisk data

Symbol	Parameter	værdi	enhed	Note
Rθ(J-C)	Termisk modstand fra forbindelse til huse	2.05	°C/W	Fig. 25

elektriske egenskaber (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	værdi			enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	enhed	Testbetingelser	Note
IDSS	Drainstrøm ved nul gate-spenning		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Gate udslipshstrøm			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Grensevoltage for spændingsport	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	Grensevoltage for spændingsport		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Fig. 8, 9
ron	Stati dræn-kilde på modstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
ron	Stati dræn-kilde på modstand		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Indgangskapacitans		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Udgangskapacitans		15.3		PF
Crss	Omvendt overførselscapacitance		2.2		PF
Eoss	Coss-lageret energi		11		μJ		Fig. 17
Qg	Total spændingsladning		16.5		NC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gatesource-ladning		2.7		NC
Qgd	Gate-drain ladning		12.5		NC
Rg	Gate indgangsmodstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Sluk-skifteenergi		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V til 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkens skifteenergi		17.0		μJ
td(åben)	Tændelsesforsinkelsestid		4.8		NS
TR	Stigningstid		13.2
td(sluk)	Slukkens forsinkelsestid		12.0
TF	Faldtid		66.8
EON	Sluk-skifteenergi		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V til 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Slukkens skifteenergi		22.0		μJ		Fig. 22

Omvendt diodekarakteristika (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	værdi			enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	enhed	Testbetingelser	Note
VSD	Diode fremadspænding		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremadspænding		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
er	Diode fremadstrøm (kontinuerlig)			11.8	A.	VGS=-2V, TC=25°C
er	Diode fremadstrøm (kontinuerlig)			6.8	A.	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Omvendt genopretnings tid		20.6		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Omvendt genopretningsgebyr		54.2		NC
IRRM	Toppunkt for omvendt genopretningsstrøm		8.2		A.