جميع الاقسام
"أبقى على تواصل
سيك موسفيت

الرئيسية /  منتجاتنا /  سيك موسفيت

1200V 30mΩ Gen2 السيارات SiC MOSFET
1200V 30mΩ Gen2 السيارات SiC MOSFET

1200V 30mΩ Gen2 السيارات SiC MOSFET

  • المُقدّمة

المُقدّمة
مكان المنشأ: تشجيانغ
اسم العلامة التجارية: تكنولوجيا الاختراع
الموديل: IV2Q12030D7Z
شهادة: AEC-Q101 مؤهل


المميزات

  • تقنية SiC MOSFET من الجيل الثاني مع محرك بوابة +2 فولت

  • جهد حجب عالي مع مقاومة منخفضة

  • تبديل عالي السرعة بسعة منخفضة

  • قدرة عالية على درجة حرارة تقاطع التشغيل

  • صمام ثنائي داخلي سريع وقوي للغاية

  • مدخلات بوابة كلفن تسهل تصميم دائرة السائق

التطبيقات

  • سائقي السيارات

  • محولات الطاقة الشمسية

  • محولات DC/DC للسيارات

  • محولات ضاغط السيارات

  • تبديل إمدادات الطاقة وضع


الخطوط العريضة:

صورة

مخطط العلامات:

صورة

الحد الأقصى لالتقييمات المطلقة(TC=25 درجة مئوية ما لم يتم تحديد خلاف ذلك)

رمز معامل القيم وحدة شروط الاختبار ملاحظات
VDS استنزاف مصدر الجهد 1200 V VGS = 0V، معرف = 100μA
في جي أس ماكس (تيار مستمر) أقصى جهد للتيار المستمر -5 إلى 20 V ثابت (تيار مستمر)
في جي أس ماكس (سبايك) أقصى ارتفاع الجهد -10 إلى 23 V دورة العمل<1%، وعرض النبض<200ns
VGSon أوصى بدوره على الجهد 18 0.5 ± V
VGSoff أوصى إيقاف الجهد -3.5 إلى -2 V
ID استنزاف الحالي (مستمر) 79 A VGS = 18 فولت، TC = 25 درجة مئوية رسم بياني 23
58 A VGS = 18 فولت، TC = 100 درجة مئوية
IDM استنزاف الحالي (النبضي) 198 A عرض النبض محدود بواسطة SOA رسم بياني 26
بتوت مجموع تبديد الطاقة 395 W ح = 25 درجة مئوية رسم بياني 24
Tstg مدى درجة حرارة التخزين -55 إلى 175 ° C
TJ درجة حرارة تقاطع التشغيل -55 إلى 175 ° C
TL درجة حرارة اللحام 260 ° C اللحام الموجي مسموح به فقط عند الخيوط، 1.6 مم من العلبة لمدة 10 ثوانٍ


البيانات الحرارية

رمز معامل القيم وحدة ملاحظات
Rθ(JC) المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة 0.38 درجة مئوية / غرب رسم بياني 23


الخصائص الكهربائية(TC = 25.C ما لم ينص على خلاف ذلك)

رمز معامل القيم وحدة شروط الاختبار ملاحظات
دقيقة. النوع. كحد أقصى.
فاعلية النظام تيار تصريف جهد البوابة صفر 5 100 μأ VDS = 1200 فولت، VGS = 0 فولت
اي جي اس اس تيار تسرب البوابة ± 100 nA VDS = 0V، VGS = -5 ~ 20V
بطاقة VTH بوابة عتبة الجهد 1.8 2.8 4.5 V VGS=VDS، المعرف=12mA الشكل 8، 9
2.0 VGS=VDS، ID=12mA @ TJ=175.C
RON مصدر التصريف الثابت قيد التشغيل - المقاومة 30 39 مΩ VGS = 18 فولت، المعرف = 30 أمبير @TJ = 25.C الشكل 4، 5، 6، 7
55 مΩ VGS = 18 فولت، المعرف = 30 أمبير @TJ = 175.C
36 47 مΩ VGS = 15 فولت، المعرف = 30 أمبير @TJ = 25.C
58 مΩ VGS = 15 فولت، المعرف = 30 أمبير @TJ = 175.C
كيبك سعة الإدخال 3000 pF VDS=800V، VGS=0V، f=1MHz، VAC=25mV رسم بياني 16
طوس سعة الخرج 140 pF
Crss عكس نقل السعة 7.7 pF
يوس كوس الطاقة المخزنة 57 ميكروجول رسم بياني 17
Qg إجمالي رسوم البوابة 135 nC VDS = 800 فولت، المعرف = 40 أمبير، VGS = -3 إلى 18 فولت رسم بياني 18
كيو جي إس تهمة مصدر البوابة 36.8 nC
Qgd رسوم استنزاف البوابة 45.3 nC
Rg مقاومة مدخلات البوابة 2.3 Ω و = 1 ميجا هرتز
EON تشغيل تبديل الطاقة 856.6 ميكروجول VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V,    RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C الشكل 19، 20
EOFF إيقاف تحويل الطاقة 118.0 ميكروجول
td (على) بدوره على تأخير الوقت 15.4 ns
tr وقت الشروق 24.6
td (إيقاف) إيقاف تأخير الوقت 28.6
tf وقت السقوط 13.6


خصائص الصمام الثنائي العكسي(TC = 25.C ما لم ينص على خلاف ذلك)

رمز معامل القيم وحدة شروط الاختبار ملاحظات
دقيقة. النوع. كحد أقصى.
VSD ديود الجهد إلى الأمام 4.2 V ISD = 30A، VGS = 0V الشكل 10، 11، 12
4.0 V ISD = 30 أمبير، VGS = 0 فولت، TJ = 175.C
مفاعل طهران البحثي عكس وقت الاسترداد 54.8 ns VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω  L=200μH di/dt=3000A/μs
ريال قطري عكس رسوم الاسترداد 470.7 nC
IRRM ذروة الاسترداد العكسي الحالي 20.3 A


الأداء النموذجي (المنحنيات)

صورة

صورة

صورة

صورة

صورة

صورة

صورة

صورة

صورة


المنتجات ذات الصلة