Alle Kategoriewe
KOM IN KONTAK
SiC Module

Tuisblad /  Produkte  /  Komponente /  SiC Module

SiC Module

IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODULE Soolar
IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODULE Soolar

IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODULE Soolar

  • Inleiding

Inleiding

Oorsprongplek: Zhejiang
Handelsnaam: Inventchip Technology
Modelnommer: IV1B12013HA1L
Sertifisering: AEC-Q101


Kenmerke

  • Hoë blokerings spanning met lae aan-wigstand

  • Hoë spoed skakeling met lae kapasiteit

  • Hoë bedryfsverbindings temperatuurvermoë

  • Baie vinnige en robuuste intrinsieke liggaamdiod


Toepassings

  • Sonne-energie toepassings

  • ups-stelsel

  • Motor drywers

  • Hoë spanning DC/DC omskakelaars


Pakket

image


Merk Diagram

image


Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)


Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
VDS Afwyking Spanning 1200V
VGSmax (DC) Maksimum DC Spanning -5 tot 22 V Statis (DC)
VGSmax (Piek) Maksimum piekspanning -10 tot 25 V <1% belastingstyd, en pulsbreedte<200ns
VGSaan Aanbevole inskakel spanning 20±0.5 V
VGSoop Aanbevole uitskakel spanning -3.5 tot -2 V
ID Afrigstroom (kontinuus) 96A VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
102A VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM Afrigstroom (puls) 204A Pulswydte beperk deur SOA Figs.26
PTOT Totale magtverbruik 210w Tvj≤150℃ Figs.24
Tstg Opslagtemperatuurreeks -40 tot 150 °C
TJ Maksimum virtuele voegtemperatuur onder skakeltoestande -40 tot 150 °C Bediening
-55 tot 175 °C Intermittent met gereduceerde lewe


Termiese data

Simbool Parameter waarde eenheid Nota
Rθ(J-H) Termiese weerstand vanaf Voeg na Koelspoel 0.596°C/W Fig.25


Elektrisiteit Kenmerke (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
IDSS Nul poort spanning draai stroom 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Poort lekstroom ±200 na VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Poort drempelspanning 1.83.25V VGS=VDS , ID =24mA Fig.9
2.3VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
ron Statiese drain-bron aan-weerstand 12.516.3VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C Fig.4-7
18VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss Invoer kapasiteit 11NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Figs.16
Coss Uitvoer kapasiteit 507PF
Crss Omgewings oordrag kapasiteit 31PF
Eoss Coss gestoorde energie 203μJ Figs.17
Qg Totale poortladings 480NC VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 tot 20V Fig.18
Qgs Poort-bron ladings 100NC
Qgd Poort-drain ladings 192NC
Rg Poort invoerweerstand 1.0O f=100kHZ
EON Aansluitingsskakelenergie 783μJ VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 tot 20V, RG(ext)aan/ RG(ext)uit =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
EOFF Uitskakelingsenergie 182μJ
td(aan) Aanslaagvertragings tyd 30ns
TR Stygtyd 5.9
td(uit) Uitslaagvertragings tyd 37
TF Valtyd 21
LsCE Afwykende induktiwiteit 7.6nH


Omgewende Diode Karakteristieke (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
VSD Diodenvoorwaartse spanning 4.9V ISD =80A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5V ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Terugwinste tyd 17.4ns VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH

Qrr

Terugwinste ladingskaping 1095NC
IRRM Piek omkeringsherstelstrom 114A


NTC Termistor Karakteristieke

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
RNTC Nominele weerstand 5TNTC =25℃ Fig.27
ΔR/R Weerstandstoleransie by 25℃ -55%
β25/50 Beta-waarde 3380K ±1%
Pmax kragverbruik 5mw


Tipesie Prestasie (krommes)

image


image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Verpakkingafmetings (mm)

image

VERWANTE PRODUK