Alle Kategoriewe
KOM IN KONTAK
SiC mosfet

Tuisblad /  Produkte  /  Komponente /  SiC mosfet

SiC mosfet

650V 25mΩ Gen2 Motorvoertuig SiC MOSFET
650V 25mΩ Gen2 Motorvoertuig SiC MOSFET

650V 25mΩ Gen2 Motorvoertuig SiC MOSFET

  • Inleiding

Inleiding
Oorsprongplek: Zhejiang
Handelsnaam: Inventchip Technology
Modelnommer: IV2Q06025T4Z
Sertifisering: AEC-Q101


Kenmerke

  • 2 de Generasie SiC MOSFET Tegnologie met

  • +18V gate drijf

  • Hoë blokerings spanning met lae aan-wigstand

  • Hoë spoed skakeling met lae kapasiteit

  • Hoë bedryfsverbindings temperatuurvermoë

  • Baie vinnige en robuuste intrinsieke liggaamdiod

  • Kelvin poort invoer wat draaiersirkelontwerp vergemaklik

Toepassings

  • Motor drywers

  • sonnepanelinvertere

  • Motorvoertuig DC/DC omskakelaars

  • Motorvoertuig kompresor omwenders

  • Omskakelingsmagvoorsieners


Omskrywing:

image

Merkingsdiagram:

image

Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
VDS Afwyking Spanning 650V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC) Maksimum DC Spanning -5 tot 20 V Statis (DC)
VGSmax (Piek) Maksimum piekspanning -10 to 23 V Werkingsverhouding<1%, en polsbreedte<200ns
VGSaan Aanbevole aan-spanning 18±0.5 V
VGSoop Aanbevole af-spanning -3.5 tot -2 V
ID Afrigstroom (kontinuus) 99A VGS =18V, TC =25°C Figs. 23
72A VGS =18V, TC =100°C
IDM Afrigstroom (puls) 247A Pulswydte beperk deur SOA Figs. 26
PTOT Totale magtverbruik 454w TC =25°C Figs. 24
Tstg Opslagtemperatuurreeks -55 tot 175 °C
TJ Bedrywige skakeltemperatuur -55 tot 175 °C
TL Loodtemperatuur 260°C golflooding slegs toegelaat by pene, 1.6mm van die kis vir 10 s


Termiese data

Simbool Parameter waarde eenheid Nota
Rθ(J-C) Termiese weerstand vanaf voeging na kasing 0.33°C/W Figs. 25


Elektrisiteit Kenmerke (TC =25。C ten einde anders gespesifiseer)

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
IDSS Nul poort spanning draai stroom 3100μA VDS =650V, VGS =0V
IGSS Poort lekstroom ±100 na VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Poort drempelspanning 1.82.84.5V VGS=VDS , ID =12mA Fig. 8, 9
2.0VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C
ron Statiese drain-bron aan-weerstand 2533VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C Figs. 4, 5, 6, 7
38VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C
Ciss Invoer kapasiteit 3090PF VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Figs. 16
Coss Uitvoer kapasiteit 251PF
Crss Omgewings oordrag kapasiteit 19PF
Eoss Coss gestoorde energie 52μJ Fig. 17
Qg Totale poortladings 125NC VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 tot 18V Fig. 18
Qgs Poort-bron ladings 35.7NC
Qgd Poort-drain ladings 38.5NC
Rg Poort invoerweerstand 1.5O f=1MHz
EON Aansluitingsskakelenergie 218.8μJ VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C Fig. 19, 20
EOFF Uitskakelingsenergie 95.0μJ
td(aan) Aanslaagvertragings tyd 12.9ns
TR Stygtyd 26.5
td(uit) Uitslaagvertragings tyd 23.2
TF Valtyd 11.7
EON Aansluitingsskakelenergie 248.5μJ VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C Fig. 22
EOFF Uitskakelingsenergie 99.7μJ


Omgewende Diode Karakteristieke (TC =25。C ten einde anders gespesifiseer)

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
VSD Diodenvoorwaartse spanning 3.7V ISD =20A, VGS =0V Figs. 10, 11, 12
3.5V ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C
trr Terugwinste tyd 32ns VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr Terugwinste ladingskaping 195.3NC
IRRM Piek omkeringsherstelstrom 20.2A


Tipesie Prestasie (krommes)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

Pakket Afmetings

image   image

        image        image

Nota:

1. Verpakking verwysing: JEDEC TO247, Variasie AD

2. Alle afmetings is in mm

3. Spleet vereis, snyding kan afgerond wees

4. Afmeting D&E sluit nie mouwflits in nie

5. Onderhewig aan verandering sonder kennisgewing



VERWANTE PRODUK