Tuisblad / Produkte / Komponente / SiC mosfet
Oorsprongplek: | Zhejiang |
Handelsnaam: | Inventchip Technology |
Modelnommer: | IV2Q06025T4Z |
Sertifisering: | AEC-Q101 |
Kenmerke
2 de Generasie SiC MOSFET Tegnologie met
+18V gate drijf
Hoë blokerings spanning met lae aan-wigstand
Hoë spoed skakeling met lae kapasiteit
Hoë bedryfsverbindings temperatuurvermoë
Baie vinnige en robuuste intrinsieke liggaamdiod
Kelvin poort invoer wat draaiersirkelontwerp vergemaklik
Toepassings
Motor drywers
sonnepanelinvertere
Motorvoertuig DC/DC omskakelaars
Motorvoertuig kompresor omwenders
Omskakelingsmagvoorsieners
Omskrywing:
Merkingsdiagram:
Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)
Simbool | Parameter | waarde | eenheid | Toetsvoorwaardes | Nota |
VDS | Afwyking Spanning | 650 | V | VGS =0V, ID =100μA | |
VGSmax (DC) | Maksimum DC Spanning | -5 tot 20 | V | Statis (DC) | |
VGSmax (Piek) | Maksimum piekspanning | -10 to 23 | V | Werkingsverhouding<1%, en polsbreedte<200ns | |
VGSaan | Aanbevole aan-spanning | 18±0.5 | V | ||
VGSoop | Aanbevole af-spanning | -3.5 tot -2 | V | ||
ID | Afrigstroom (kontinuus) | 99 | A | VGS =18V, TC =25°C | Figs. 23 |
72 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
IDM | Afrigstroom (puls) | 247 | A | Pulswydte beperk deur SOA | Figs. 26 |
PTOT | Totale magtverbruik | 454 | w | TC =25°C | Figs. 24 |
Tstg | Opslagtemperatuurreeks | -55 tot 175 | °C | ||
TJ | Bedrywige skakeltemperatuur | -55 tot 175 | °C | ||
TL | Loodtemperatuur | 260 | °C | golflooding slegs toegelaat by pene, 1.6mm van die kis vir 10 s |
Termiese data
Simbool | Parameter | waarde | eenheid | Nota |
Rθ(J-C) | Termiese weerstand vanaf voeging na kasing | 0.33 | °C/W | Figs. 25 |
Elektrisiteit Kenmerke (TC =25。C ten einde anders gespesifiseer)
Simbool | Parameter | waarde | eenheid | Toetsvoorwaardes | Nota | ||
Min. | Tipe. | Max. | |||||
IDSS | Nul poort spanning draai stroom | 3 | 100 | μA | VDS =650V, VGS =0V | ||
IGSS | Poort lekstroom | ±100 | na | VDS =0V, VGS = -5~20V | |||
VTH | Poort drempelspanning | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V | VGS=VDS , ID =12mA | Fig. 8, 9 |
2.0 | VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C | ||||||
ron | Statiese drain-bron aan-weerstand | 25 | 33 | mΩ | VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C | Figs. 4, 5, 6, 7 | |
38 | mΩ | VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C | |||||
Ciss | Invoer kapasiteit | 3090 | PF | VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | Figs. 16 | ||
Coss | Uitvoer kapasiteit | 251 | PF | ||||
Crss | Omgewings oordrag kapasiteit | 19 | PF | ||||
Eoss | Coss gestoorde energie | 52 | μJ | Fig. 17 | |||
Qg | Totale poortladings | 125 | NC | VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 tot 18V | Fig. 18 | ||
Qgs | Poort-bron ladings | 35.7 | NC | ||||
Qgd | Poort-drain ladings | 38.5 | NC | ||||
Rg | Poort invoerweerstand | 1.5 | O | f=1MHz | |||
EON | Aansluitingsskakelenergie | 218.8 | μJ | VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | Fig. 19, 20 | ||
EOFF | Uitskakelingsenergie | 95.0 | μJ | ||||
td(aan) | Aanslaagvertragings tyd | 12.9 | ns | ||||
TR | Stygtyd | 26.5 | |||||
td(uit) | Uitslaagvertragings tyd | 23.2 | |||||
TF | Valtyd | 11.7 | |||||
EON | Aansluitingsskakelenergie | 248.5 | μJ | VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C | Fig. 22 | ||
EOFF | Uitskakelingsenergie | 99.7 | μJ |
Omgewende Diode Karakteristieke (TC =25。C ten einde anders gespesifiseer)
Simbool | Parameter | waarde | eenheid | Toetsvoorwaardes | Nota | ||
Min. | Tipe. | Max. | |||||
VSD | Diodenvoorwaartse spanning | 3.7 | V | ISD =20A, VGS =0V | Figs. 10, 11, 12 | ||
3.5 | V | ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C | |||||
trr | Terugwinste tyd | 32 | ns | VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
Qrr | Terugwinste ladingskaping | 195.3 | NC | ||||
IRRM | Piek omkeringsherstelstrom | 20.2 | A |
Tipesie Prestasie (krommes)
Pakket Afmetings
Nota:
1. Verpakking verwysing: JEDEC TO247, Variasie AD
2. Alle afmetings is in mm
3. Spleet vereis, snyding kan afgerond wees
4. Afmeting D&E sluit nie mouwflits in nie
5. Onderhewig aan verandering sonder kennisgewing