1200V 40mΩ Gen2 Motor SiC MOSFET

Kenmerke

aansoeke

Outline:

Merkdiagram:

beeld

Absolute Maksimum Graderings(TC=25°C tensy anders gespesifiseer)

simbool	parameter	waarde	eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
VDS	Dreineerbronspanning	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Verbygaande)	Maksimum verbygaande spanning	-10 tot 23	V	Werksiklus <1%, en polswydte <200ns
VGSeun	Aanbevole aanskakelspanning	15 tot 18	V
VGSaf	Aanbevole afskakelspanning	-5 tot -2	V	Tipies -3.5V
ID	Dreineerstroom (deurlopend)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
ID	Dreineerstroom (deurlopend)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Dreineer stroom (gepuls)	162	A	Polswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(JC)	Fig. 25, 26
ISM	Liggaamsdiodestroom (gepuls)	162	A	Polswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(JC)	Fig. 25, 26
PTOT	Totale kragdissipasie	375	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Bergingstemperatuurreeks	-55 tot 175	° C
TJ	Bedryfsaansluitingstemperatuur	-55 tot 175	° C
TL	Soldeer temperatuur	260	° C	golfsoldeer slegs toegelaat by leidrade, 1.6 mm van die houer vir 10 s

Termiese data

simbool	parameter	waarde	eenheid	nota
Rθ(JC)	Termiese weerstand van aansluiting tot kas	0.4	° C / W	Fig. 25

Elektriese eienskappe (TC =25。C tensy anders gespesifiseer)

simbool	parameter	waarde			eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
simbool	parameter	Min.	Tik.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
IDSS	Nul hek spanning dreineerstroom		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Hek lekstroom			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VDE KAART	Hek drempel spanning	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS, ID =9mA	Fig. 8, 9
VDE KAART	Hek drempel spanning		2.1			VGS =VDS, ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
RON	Statiese drein-bron aan - weerstand		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Insetkapasitansie		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Kos	Uitsetkapasitansie		100		pF
Crss	Omgekeerde oordragkapasitansie		5.8		pF
Eoss	Kos gestoorde energie		40		μJ		Fig. 17
Qg	Totale hekheffing		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Hek-bron heffing		25		nC
Qgd	Hek-drein lading		59		nC
Rg	Hek inset weerstand		2.1		Ω	f=1MHz
EON	Skakel skakelenergie aan		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Skakel skakelenergie af		70.0		μJ
td (aan)	Aanskakelvertragingstyd		9.6		ns
tr	Stygtyd		22.1
td (af)	Afskakelvertragingstyd		19.3
tf	Val tyd		10.5
EON	Skakel skakelenergie aan		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Skakel skakelenergie af		73.8		μJ		Fig. 22

Omgekeerde diode-kenmerke (TC =25。C tensy anders gespesifiseer)

simbool	parameter	waarde			eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
simbool	parameter	Min.	Tik.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
VSD	Diode vorentoe spanning		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode vorentoe spanning		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
IS	Diode vorentoe stroom (deurlopend)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
IS	Diode vorentoe stroom (deurlopend)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Omgekeerde hersteltyd		42.0		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Krr	Omgekeerde herwinningsheffing		198.1		nC
IRRM	Piek omgekeerde herstelstroom		17.4		A