1200V 40mΩ Gen2 Motorvoertuig SiC MOSFET

Kenmerke

Toepassings

Omskrywing:

Merkingsdiagram:

Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool	Parameter	waarde	eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VDS	Afwyking Spanning	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Transient)	Maksimum transitoriese spanning	-10 to 23	V	Werkingsverhouding<1%, en polsbreedte<200ns
VGSaan	Aanbevole aan-spanning	15 to 18	V
VGSoop	Aanbevole af-spanning	-5 to -2	V	Tipes -3.5V
ID	Afrigstroom (kontinuus)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Figs. 23
ID	Afrigstroom (kontinuus)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Figs. 23
IDM	Afrigstroom (puls)	162	A	Pulswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Liggaamsdiodestroom (puls)	162	A	Pulswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
PTOT	Totale magtverbruik	375	w	TC =25°C	Figs. 24
Tstg	Opslagtemperatuurreeks	-55 tot 175	°C
TJ	Bedrywige skakeltemperatuur	-55 tot 175	°C
TL	Loodtemperatuur	260	°C	golflooding slegs toegelaat by pene, 1.6mm van die kis vir 10 s

Termiese data

Simbool	Parameter	waarde	eenheid	Nota
Rθ(J-C)	Termiese weerstand vanaf voeging na kasing	0.4	°C/W	Figs. 25

Elektriese kenmerke (TC = 25。C ten einde anders gespesifiseer)

Simbool	Parameter	waarde			eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
Simbool	Parameter	Min.	Tipe.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
IDSS	Nul poort spanning draai stroom		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Poort lekstroom			±100	na	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Poort drempelspanning	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	Poort drempelspanning		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
ron	Statiske drain-bron aan - weerstand		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Figs. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Invoer kapasiteit		2160		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Figs. 16
Coss	Uitvoer kapasiteit		100		PF
Crss	Omgewings oordrag kapasiteit		5.8		PF
Eoss	Coss gestoorde energie		40		μJ		Fig. 17
Qg	Totale poortladings		110		NC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Poort-bron ladings		25		NC
Qgd	Poort-drain ladings		59		NC
Rg	Poort invoerweerstand		2.1		O	f=1MHz
EON	Aansluitingsskakelenergie		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitskakelingsenergie		70.0		μJ
td(aan)	Aanslaagvertragings tyd		9.6		ns
TR	Stygtyd		22.1
td(uit)	Uitslaagvertragings tyd		19.3
TF	Valtyd		10.5
EON	Aansluitingsskakelenergie		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Uitskakelingsenergie		73.8		μJ		Fig. 22

Omgewende Diode Karakteristieke (TC =25。C tenisgeë as anderspesifiseer)

Simbool	Parameter	waarde			eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
Simbool	Parameter	Min.	Tipe.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VSD	Diodenvoorwaartse spanning		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Figs. 10, 11, 12
VSD	Diodenvoorwaartse spanning		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Figs. 10, 11, 12
is	Diode voorskuit stroom (kontinu)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
is	Diode voorskuit stroom (kontinu)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Terugwinste tyd		42.0		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Terugwinste ladingskaping		198.1		NC
IRRM	Piek omkeringsherstelstrom		17.4		A