SiC SBD

1200V 40A Motorvoertuig SiC Schottky Diode

Inleiding

Inleiding

Oorsprongplek:	Zhejiang
Handelsnaam:	Inventchip Technology
Modelnommer:	IV1D12040U3Z
Sertifisering:	AEC-Q101 gekwalifiseer

Minimumverpakkingskwantiteit:	450stks
Prys:
Verpakking besonderhede:
Afleweringstyd:
Betalingsterms:
Verskaf Vermoë:

Kenmerke

Maksimum Voegtemperatuur 175°C
Hoë Oorloopstroom Kapasiteit
Nul Terugwinststroom
Nul Voroestspanning
Hoogfrequentiebedrywening
Temperatuur onafhanklike skakelgedrag
Positiewe Temperatuurkoëffisiënt op VF
AEC-Q101 gekwalifiseer

Toepassings

Motorvoertuig Inverter Vrywiel Diods
EV oplaadstasies
Wenen 3-Fase PFC
Sonnepower Verhoging
Omskakelingsmagvoorsieners

Omslag

Merk Diagram

Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool	Parameter	waarde	eenheid
VRRM	Omvertoonspanning (herhalende piek)	1200	V
VDC	GK blokkeringsspanning	1200	V
as	Voorwaartse stroom (kontinu) @Tc=25°C	54*	A
	Voorwaartse stroom (kontinu) @Tc=135°C	28*	A
	Voorwaartse stroom (kontinu) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	Oorbelasting nie-herhalende voorwaartse stroom sine halfgolf @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	Oorbelasting herhalende voorwaartse stroom (Frequentie=0.1Hz, 100 siklusse) sine halfgolf @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A
PTOT	Totale krwyweerstand @ Tc=25°C	272*	w
	Totale krwyweerstand @ Tc=150°C	45*
	I2t waarde @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	Opslagtemperatuurreeks	-55 tot 175	°C
TJ	Bedryfstemperatuurreeks van voegpunt	-55 tot 175	°C

*Per Been

Spannings wat die maksimum waardes in die tabel oorskryd, kan die toestel skade berig. As enige van hierdie limiete oorskryd word, moet daar nie aangenome word dat die toestel korrek sal funksioneer nie; skade kan plaasvind en betroubaarheid kan beïnvloed word.

funksionaliteit mag nie aanvaar word nie, skade kan plaasvind en betroubaarheid kan beïnvloed word.

Elektrisiteit Kenmerke

Simbool	Parameter	Tipe.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VF	Voorwaartse Spanning	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
lug	Terugstroom	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Figs. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Totale kapasiteit	1114*		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Figs. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Totale kapasitiewe ladingskwantum	107*		NC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
EC	Energie wat deur die kapasiteit gestoor word	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Figs. 5