Alle Kategoriewe
KOM IN KONTAK
SiC Module

Tuisblad /  Produkte  /  Komponente /  SiC Module

SiC Module

1200V 25mohm SiC MODULE Motorbestuurders
1200V 25mohm SiC MODULE Motorbestuurders

1200V 25mohm SiC MODULE Motorbestuurders

  • Inleiding

Inleiding

Oorsprongplek: Zhejiang
Handelsnaam: Inventchip Technology
Modelnommer: IV1B12025HC1L
Sertifisering: AEC-Q101


Kenmerke

  • Hoë blokerings spanning met lae aan-wigstand

  • Hoë spoed skakeling met lae kapasiteit

  • Hoë bedryfsverbindings temperatuurvermoë

  • Baie vinnige en robuuste intrinsieke liggaamdiod


Toepassings

  • Sonne-energie toepassings

  • ups-stelsel

  • Motor drywers

  • Hoë spanning DC/DC omskakelaars


Pakket

image


image


Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
VDS Afwyking Spanning 1200V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Maksimum DC Spanning -5 tot 22 V Statis (DC)
VGSmax (Piek) Maksimum piekspanning -10 tot 25 V <1% belastingstyd, en pulsbreedte<200ns
VGSaan Aanbevole inskakel spanning 20±0.5 V
VGSoop Aanbevole uitskakel spanning -3.5 tot -2 V
ID Afrigstroom (kontinuus) 74A VGS =20V, TC =25°C
50A VGS =20V, TC =94°C
IDM Afrigstroom (puls) 185A Pulswydte beperk deur SOA Figs.26
PTOT Totale magtverbruik 250w TC =25°C Figs.24
Tstg Opslagtemperatuurreeks -40 tot 150 °C
TJ Maksimum virtuele voegtemperatuur onder skakeltoestande -40 tot 150 °C Bediening
-55 tot 175 °C Intermittent met gereduceerde lewe


Termiese data

Simbool Parameter waarde eenheid Nota
Rθ(J-C) Termiese weerstand vanaf voeging na kasing 0.5°C/W Fig.25


Elektrisiteit Kenmerke (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
IDSS Nul poort spanning draai stroom 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Poort lekstroom 2±200 na VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Poort drempelspanning 3.2V VGS=VDS , ID =12mA Fig.9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
ron Statiske drain-bron aan - weerstand 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Fig.4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Invoer kapasiteit 5.5NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Figs.16
Coss Uitvoer kapasiteit 285PF
Crss Omgewings oordrag kapasiteit 20PF
Eoss Coss gestoorde energie 105μJ Figs.17
Qg Totale poortladings 240NC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 tot 20V Fig.18
Qgs Poort-bron ladings 50NC
Qgd Poort-drain ladings 96NC
Rg Poort invoerweerstand 1.4O f=100kHZ
EON Aansluitingsskakelenergie 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 tot 20V, RG(ext)aan/ RG(ext)af =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
EOFF Uitskakelingsenergie 135μJ
td(aan) Aanslaagvertragings tyd 15ns
TR Stygtyd 4.1
td(uit) Uitslaagvertragings tyd 24
TF Valtyd 17
LsCE Afwykende induktiwiteit 8.8nH


Omgewende Diode Karakteristieke (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
VSD Diodenvoorwaartse spanning 4.9V ISD =40A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Terugwinste tyd 18ns VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Terugwinste ladingskaping 1068NC
IRRM Piek omkeringsherstelstrom 96.3A


NTC Termistor Karakteristieke

Simbool Parameter waarde eenheid Toetsvoorwaardes Nota
Min. Tipe. Max.
RNTC Nominele weerstand 5TNTC =25℃ Fig.27
ΔR/R Weerstandstoleransie by 25℃ -55%
β25/50 Beta-waarde 3380K ±1%
Pmax kragverbruik 5mw


Tipesie Prestasie (krommes)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Verpakkingafmetings (mm)

image



Aantekeninge


Voor verdere inligting kontak asseblief die Verkoopkantoor van IVCT.

Kopiereg©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Alle regte voorbehou.

Die inligting in hierdie dokument is onderhewig aan verandering sonder voorgaande kennisgewing.


Verwante skakels


http://www.inventchip.com.cn


VERWANTE PRODUK