1700V 1000mΩ Hulpkragbronne SiC MOSFET

Plek van Oorsprong:	Zhejiang
Brand Naam:	Inventchip
Model nommer:	IV2Q171R0D7
Minimum verpakkingshoeveelheid:	450

Kenmerke

⚫ 2de generasie SiC MOSFET-tegnologie met

+15~+18V hekaandrywing

⚫ Hoë blokkeerspanning met lae aanweerstand

⚫ Hoëspoedskakeling met lae kapasitansie

⚫ 175℃ bedryfsaansluitingstemperatuurvermoë

⚫ Ultra vinnige en robuuste intrinsieke liggaamsdiode

⚫ Kelvin-hek-inset-verligting van bestuurderkringontwerp

aansoeke

⚫ Sonkrag-omskakelaars

⚫ Hulpkragbronne

⚫ Skakelmodus kragbronne

⚫ Slim meters

Outline:

Merkdiagram:

Absolute Maksimum Graderings (TC=25°C tensy anders gespesifiseer)

simbool	parameter	waarde	eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
VDS	Dreineerbronspanning	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Verbygaande)	Maksimum piekspanning	-10 23	V	Werksiklus <1%, en polswydte <200ns
VGSeun	Aanbevole aanskakelspanning	15 18 om	V
VGSaf	Aanbevole afskakelspanning	-5 tot -2	V	Tipiese waarde -3.5V
ID	Dreineerstroom (deurlopend)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Fig 23
ID	Dreineerstroom (deurlopend)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Fig 23
IDM	Dreineer stroom (gepuls)	15.7	A	Polswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(JC)	Fig. 25, 26
ISM	Liggaamsdiodestroom (gepuls)	15.7	A	Polswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(JC)	Fig. 25, 26
PTOT	Totale kragdissipasie	73	W	TC=25°C	Fig 24
Tstg	Bergingstemperatuurreeks	-55 175	° C
TJ	Bedryfsaansluitingstemperatuur	-55 175	° C

Termiese data

simbool	parameter	waarde	eenheid	nota
Rθ(JC)	Termiese weerstand van aansluiting tot kas	2.05	° C / W	Fig 25

Elektriese eienskappe (TC=25°C tensy anders gespesifiseer)

simbool	parameter	waarde			eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
simbool	parameter	Min.	Tik.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
IDSS	Nul hek spanning dreineerstroom		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Hek lekstroom			± 100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VDE KAART	Hek drempel spanning	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VDE KAART	Hek drempel spanning		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Fig. 8, 9
RON	Static drain-source on resistance		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
RON	Static drain-source on resistance		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Insetkapasitansie		285		pF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig 16
Kos	Uitsetkapasitansie		15.3		pF
Crss	Omgekeerde oordragkapasitansie		2.2		pF
Eoss	Kos gestoorde energie		11		μJ		Fig 17
Qg	Totale hekheffing		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 tot 18V	Fig 18
Qgs	Hek-bron heffing		2.7		nC
Qgd	Hek-drein lading		12.5		nC
Rg	Hek inset weerstand		13		Ω	f=1MHz
EON	Skakel skakelenergie aan		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V tot 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Skakel skakelenergie af		17.0		μJ
td (aan)	Aanskakelvertragingstyd		4.8		ns
tr	Stygtyd		13.2
td (af)	Afskakelvertragingstyd		12.0
tf	Val tyd		66.8
EON	Skakel skakelenergie aan		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V tot 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig 22
EOFF	Skakel skakelenergie af		22.0		μJ		Fig 22

Omgekeerde diode-kenmerke (TC=25°C tensy anders gespesifiseer)

simbool	parameter	waarde			eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
simbool	parameter	Min.	Tik.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	nota
VSD	Diode vorentoe spanning		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode vorentoe spanning		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
IS	Diode vorentoe stroom (deurlopend)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
IS	Diode vorentoe stroom (deurlopend)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Omgekeerde hersteltyd		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Krr	Omgekeerde herwinningsheffing		54.2		nC
IRRM	Piek omgekeerde herstelstroom		8.2		A