1700V 1000mΩ Hulpbronnespanning SiC MOSFET

Oorsprongplek:	Zhejiang
Handelsnaam:	Inventchip
Modelnommer:	IV2Q171R0D7
Minimum verpakkingskwantiteit:	450

Kenmerke

⚫ 2 de Generasie SiC MOSFET Tegnologie met

+15~+18V gate drijf

⚫ Hoë blokkings spanning met lae aanstand

⚫ Hoë spoed skakeling met lae kapasiteit

⚫ 175℃ bedryfsverbindings temperatuurvermoë

⚫ Ultra vinnige en robuuste intrinsieke liggaam diode

⚫ Kelvin poort invoer wat drijfkragkring ontwerp vergemaklik

Toepassings

⚫ Soolar invertere

⚫ Byvoerbronne

⚫ Switshing magvoorsieners

⚫ Slim tellers

Omskrywing:

Merkingsdiagram:

Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool	Parameter	waarde	eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VDS	Afwyking Spanning	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Transient)	Maksimum piekspanning	-10 to 23	V	Werfswyklus <1%, en impulsbreedte <200ns
VGSaan	Aanbevole aan-spanning	15 to 18	V
VGSoop	Aanbevole af-spanning	-5 to -2	V	Tipeswaarde -3.5V
ID	Afrigstroom (kontinuus)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Figs. 23
ID	Afrigstroom (kontinuus)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Figs. 23
IDM	Afrigstroom (puls)	15.7	A	Pulswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Liggaamsdiodestroom (puls)	15.7	A	Pulswydte beperk deur SOA en dinamiese Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
PTOT	Totale magtverbruik	73	w	TC=25°C	Figs. 24
Tstg	Opslagtemperatuurreeks	-55 tot 175	°C
TJ	Bedryfsverbindings temperatuur	-55 tot 175	°C

Termiese data

Simbool	Parameter	waarde	eenheid	Nota
Rθ(J-C)	Termiese weerstand vanaf voeging na kasing	2.05	°C/W	Figs. 25

Elektrisiteit Kenmerke (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool	Parameter	waarde			eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
Simbool	Parameter	Min.	Tipe.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
IDSS	Nul poort spanning draai stroom		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Poort lekstroom			±100	na	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Poort drempelspanning	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	Poort drempelspanning		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Fig. 8, 9
ron	Statiese drain-bron aan-weerstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Figs. 4, 5, 6, 7
ron	Statiese drain-bron aan-weerstand		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Figs. 4, 5, 6, 7
Ciss	Invoer kapasiteit		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Figs. 16
Coss	Uitvoer kapasiteit		15.3		PF
Crss	Omgewings oordrag kapasiteit		2.2		PF
Eoss	Coss gestoorde energie		11		μJ		Fig. 17
Qg	Totale poortladings		16.5		NC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Poort-bron ladings		2.7		NC
Qgd	Poort-drain ladings		12.5		NC
Rg	Poort invoerweerstand		13		O	f=1MHz
EON	Aansluitingsskakelenergie		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V tot 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitskakelingsenergie		17.0		μJ
td(aan)	Aanslaagvertragings tyd		4.8		ns
TR	Stygtyd		13.2
td(uit)	Uitslaagvertragings tyd		12.0
TF	Valtyd		66.8
EON	Aansluitingsskakelenergie		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V tot 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Uitskakelingsenergie		22.0		μJ		Fig. 22

Omgewende Diode Karakteristieke (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool	Parameter	waarde			eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
Simbool	Parameter	Min.	Tipe.	Max.	eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VSD	Diodenvoorwaartse spanning		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Figs. 10, 11, 12
VSD	Diodenvoorwaartse spanning		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Figs. 10, 11, 12
is	Diode voorskuit stroom (kontinu)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
is	Diode voorskuit stroom (kontinu)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Terugwinste tyd		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Terugwinste ladingskaping		54.2		NC
IRRM	Piek omkeringsherstelstrom		8.2		A